消息稱三星 1b nm 移動內存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發
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IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202409/462662.htm三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。
然而該韓媒此前就在今年 6 月 11 日宣稱，三星電子的 1b nm DRAM 內存產品當時良率不足五成。
▲ 三星電子 LPDDR 內存產品線
韓媒今日報道指出，三星電子 DS 部門本應在 8 月之前就向 MX 部門供應一定規模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 內存樣品，用于 Galaxy S25 系列手機開發。但 DS 部門未能按時提供足夠數量樣品。
知情人士透露，三星電子的 1b nm LPDDR 良率不及預期，影響了企業內部的供貨時間表，MX 部門已就此提出抗議，并正在重新審視 Galaxy S25 系列手機的 DRAM 供應計劃。
根據 DRAM 產業一般規律，要想實現穩定且經濟的大規模生產與供應，內存良率至少需要達到 80%。目前看來三星電子的 1b nm LPDDR 即使在企業內部供應中也存在不足問題，意味著該產品良率遠低于 80% 的目標。
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