- 將共同優化 Cortex-A 和 Cortex-X 內核,以實現全柵極晶體管
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ARM 三星 2nm芯片
- 3 月 19 日消息,三星半導體 CEO 慶桂顯(Kye Hyun Kyung)今日于領英發文,宣布在美國和韓國成立三星半導體 AGI(Artificial General Intelligence,通用人工智能)計算實驗室。▲三星半導體 CEO 領英動態實驗室由前谷歌開發人員禹東赫(Dong Hyuk Woo)領導,致力于開發一種能滿足未來通用人工智能計算需求的全新半導體。AGI 計算實驗室最初將開發用于大語言模型 LLM 的芯片,專注于推理與服務應用。為了開發能大幅降低運行 LLM 所需功耗的芯片,三
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三星 AGI 計算實驗室 半導體
- 3 月 20 日消息,本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風會上,英偉達首席執行官黃仁勛表示:“HBM 內存不僅生產難度高,而且成本非常高,我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術奇跡”(technological miracle),相比較傳統 DRAM,不僅可以提高數據中心的性能,功耗方面明顯更低。在本次吹風會之前,網絡上有不少消息稱英偉達會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內存,而在本次吹風會上,黃仁勛正面表示:“三星是一家非常非常優秀的公司”(Samsung is a v
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黃仁勛 三星 英偉達 HBM 內存
- 3 月 20 日消息,三星電子 DS(設備解決方案)部門負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在今日的三星電子股東大會上宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用 LPDDR 內存的 AI 芯片 Mach-1。慶桂顯表示,Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技術驗證,正處于 SoC 設計階段。該 AI 芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的 AI 系統。韓媒 Sedaily 報道指,Mach-1 芯片基于非傳統結構,可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有 AI 芯片的 1/8。此外,該芯
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三星 AI 芯片 LPDDR 內存
- 科創板日報援引韓媒消息,三星電子DS(設備解決方案)部門負責人慶桂顯宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用LPDDR內存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技術驗證,正處于SoC設計階段。該AI芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的AI系統。Mach-1芯片基于非傳統結構,可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有AI芯片的1/8。此外,其無需現在緊俏而昂貴的HBM內存,而是選用了LPDDR內存。
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三星 Mach-1芯片 AI芯片
- IT之家 3 月 17 日消息,過去幾年里,三星在高端芯片方面對高通的依賴程度顯著增加。其可折疊手機系列一直只采用高通驍龍芯片,Galaxy S23 系列也全部搭載了高通芯片。三星自家的 Exynos 芯片僅在今年推出的 Galaxy S24 系列中得以回歸,部分市場也仍然搭載驍龍處理器。芯片是三星移動部門成本投入最大部分的之一,如果高通漲價,三星就別無選擇,只能接受他們的報價。據悉高通芯片的價格相當高,三星似乎希望從今年開始在更多 Galaxy 設備中使用 Exynos 芯片來降低成本。一份近
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三星 Exynos 芯片 SoC 智能手機
- IT之家 3 月 14 日消息,據市場分析機構 Omdia 近日報告,三星電子今年將大幅增加 LG 電視用 W-OLED 面板的采購量,今年將達 70~80 萬片,這一結果符合IT之家以往報道。根據 Omdia 高層的報告,三星今年預計出貨 200 萬臺 OLED 電視,相較去年翻倍;而 LG 的目標是 350 萬臺,相較去年也增加了 50 萬臺。今年 OLED 電視市場整體預估將達 630 萬臺,如果這兩大巨頭最終瓜分 550 萬臺,將進一步壓縮索尼、松下等競爭對手的生存空間。在面板端,今年
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三星 OLED
- IT之家 3 月 14 日消息,據韓媒 NEWSIS 報道,三星電子否認了近日路透社的說法,表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成,目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通過回流焊一次性粘合,然后同時用模塑料填充間隙;而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜,是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜(NCF)的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
- IT之家 3 月 12 日消息,集邦咨詢近日發布報告,表示 2023 年第 4 季度全球前十大晶圓代工廠營收 304.9 億美元(IT之家備注:當前約 2189.18 億元人民幣),環比增長 7.9%。報告稱拉動 2023 年第 4 季度晶圓代工廠營收的主要是中低端智能手機應用芯片以及周邊電源管理集成電路(PMIC),蘋果 iPhone 所用的 A17 芯片,以及 OLED DDI、CIS、PMIC 等周邊 IC。TrendForce 集邦咨詢表示,2023 年受供應鏈庫存高
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晶圓代工 臺積電 三星
- 影像傳感器是手機最重要零件之一,SONY是全球第一大影像傳感器制造商,三星System LSI部門也生產ISOCELL品牌影像傳感器,與SONY競爭居全球第二。三星自家Galaxy手機多用自家System LSI研發的圖像傳感器,但未來可能生變。韓國媒體ETNews報導,三星手機可能使用更多SONY圖像傳感器,SONY半導體解決方案公司也計劃將部分相機傳感器生產線從日本轉到韓國,就是為了擴大加強供貨三星圖像傳感器。SONY已與韓國后段代工合作伙伴商討封裝和測試工序,包括LB Semicon、NGion、A
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三星 傳感器 索尼
- IT之家 3 月 11 日消息,博主 Revegnus 近日否認了三星旗艦手機未來將使用聯發科旗艦處理器的傳聞,但稱三星曾考慮在 S 系列手機上使用天璣 9000 處理器,但因供應不足而放棄。該博主稱當年聯發科曾考慮向三星供應 1000 萬顆天璣 9000,而這一供應量遠低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬顆,協議最終沒有達成。此外,該博主曾于 2 月發文稱,傳言聯發科向三星提供了特殊價格,三星的入門手機系列將擴大聯發科處理器的使用范圍。Revegnus 強調聯發科與三
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天璣9000 三星
- Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存存儲,為全球手機用戶帶來強大的人工智能(AI)體驗。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持,能夠實現無障礙通信并且最大限度地實現創作自由,從而進一步提升用戶體驗。隨著數據密集型和功耗密集型應用不斷推動智能手機的硬件性能達到極致,美光 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0
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美光 三星 Galaxy S24 移動AI
- AI服務器浪潮席卷全球,帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產品HBM異軍突起,成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業界認為,HBM是加速未來AI技術發展的關鍵科技之一。近期,HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產能售罄。與此同時,HBM技術再突破、大客戶發生變動、被劃進國家戰略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM:三分天下HBM(全稱為High Bandwidth Memory),是高帶寬存儲器,是屬于圖形DDR內存的一種。從技術原理上講,HB
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三星 半導體存儲器 HBM
- 三星電子今日宣布,已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品,該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s,此外,1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現已進入量產階段。隨著新一代microSD存儲卡產品的推出,三星將著力打造差異化存儲解決方案,更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。"來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增,三星推出的這兩款全新micro
SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業
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三星 microSD 移動計算 端側AI
- IT之家 2 月 28 日消息,據韓媒 Chosunbiz 報道,三星電子近日在背面供電網絡(BSPDN)芯片測試中獲得了好于預期的成果,有望提前導入未來制程節點。傳統芯片采用自下而上的制造方式,先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮,傳統供電模式的線路層越來越混亂,對設計與制造形成干擾。BSPDN 技術將芯片供電網絡轉移至晶圓背面,可簡化供電路徑,解決互連瓶頸,減少供電對信號的干擾,最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言,還特別有助于移動端 SoC 的小型化。▲&n
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三星 BSPDN 芯片測試
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