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        AI 處理能力快 14.7 倍,三星 Exynos 2400 芯片 NPU 信息曝光

        • IT之家?10 月 24 日消息,三星于今年 10 月 5 日在美國(guó)加州圣何塞舉辦的 System LSI 技術(shù)日活動(dòng)中,正式宣布了 Exynos 2400 處理器,表示 CPU 性能要比 Exynos 2200 快 70%,AI 處理能力快 14.7 倍。國(guó)外科技媒體?Android?Headlines 近日分享了 Exynos 2400 處理器 NPU 芯片的更多細(xì)節(jié)。報(bào)告稱三星大幅優(yōu)化了 NPU 芯片對(duì)非線性運(yùn)算的支持,通過(guò)架構(gòu)調(diào)整等優(yōu)化手段,Exynos 2400 在
        • 關(guān)鍵字: 三星  NPU  SoC  

        25 年資深專家?guī)ш?duì),三星已布局推進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

        • IT之家 10 月 19 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì),已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁,負(fù)責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗(yàn),加入三星后,他負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項(xiàng)工作。洪錫俊負(fù)責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團(tuán)隊(duì),同時(shí)積極與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)合作進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。值得注意的是,三星在正式進(jìn)軍 GaN(氮化鎵)業(yè)
        • 關(guān)鍵字: 三星  SiC  

        三星計(jì)劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,號(hào)稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多

        • IT之家 10 月 19 日消息,三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商,對(duì)其 V-NAND(即三星稱之為的 3D NAND)的發(fā)展有著宏大的計(jì)劃,本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí),其正在按計(jì)劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存,并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND。“第九代 V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu),層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平,明年初將開(kāi)始量產(chǎn)。”三星電子總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培(Lee Jung-Bae)在博客文章中寫(xiě)道。IT之家注意到,8 月份就有消息稱,三
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)  NAND閃存  

        傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

        • 近日,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段,大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看,NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND(有望達(dá)到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層)
        • 關(guān)鍵字: 三星  第九代  V-NAND  閃存  

        三星將擴(kuò)建中國(guó)西安的NAND芯片工廠

        • 三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝,并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒,三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級(jí)到236層NAND工藝,并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱,三星已開(kāi)始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備,新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱,美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備,無(wú)需其他許可。據(jù)了解,目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  西安  

        全球首款4億像素傳感器曝光:尺寸接近1英寸

        • 據(jù)悉,三星申請(qǐng)了Hexa2Pixel商標(biāo)。眾所周知,三星Galaxy S22 Ultra主攝為1.08億像素,它支持像素9合1,可以輸出1200萬(wàn)像素樣張(108÷9=12)。這次三星申請(qǐng)Hexa2Pixel商標(biāo),意味著三星正在開(kāi)發(fā)36合1的圖像傳感器(Hexa=6,Hexa的平方=36),根據(jù)1.08億像素9合1輸出1200萬(wàn)像素樣張進(jìn)行反向推算,36合1意味著主攝分辨率超過(guò)了4億像素。據(jù)了解,三星正在開(kāi)發(fā)兩款4億像素傳感器,這兩款傳感器都擁有4.32億像素,這將是業(yè)界首款4億像素圖像傳感器。其中一款型
        • 關(guān)鍵字: 三星  圖像傳感器  

        三星人事變動(dòng),瞄準(zhǔn)碳化硅!

        • 10月16日,根據(jù)韓媒ETNEWS的報(bào)道,三星電子近期聘請(qǐng)安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁,負(fù)責(zé)監(jiān)督SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導(dǎo)體專家,在加入三星電子之前,曾在英飛凌、仙童、安森美半導(dǎo)體等全球主要功率半導(dǎo)體公司工作約25年。目前,Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團(tuán)隊(duì)成員,同時(shí)通過(guò)與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng),進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
        • 關(guān)鍵字: 三星  碳化硅!  

        三星Galaxy S24 Ultra跑分曝光 超頻版驍龍8 Gen3表現(xiàn)如何?

        • 金秋十月,科技圈也進(jìn)入了一年中最關(guān)鍵的階段,大家的目光開(kāi)始集中到了年底前即將亮相的一眾代表性年度旗艦上,而作為安卓機(jī)皇的三星新一代旗艦Galaxy S24系列自然也是大家關(guān)注的焦點(diǎn),尤其該機(jī)將重新回歸雙處理器版本的組合。現(xiàn)在有最新消息,近日有數(shù)碼博主發(fā)現(xiàn)疑似超大杯的三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身Geekbench 6跑分平臺(tái)。據(jù)數(shù)碼博主最新發(fā)布的信息顯示,近日一款型號(hào)為SM-S928B的機(jī)型現(xiàn)身跑分平臺(tái)GeekBench,結(jié)合此前相關(guān)爆料,該機(jī)基本可以確定就是已經(jīng)有很多曝光的三星Galaxy
        • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy  超頻  驍龍  

        TrendForce 預(yù)計(jì)三星電子 8 英寸晶圓廠明年產(chǎn)能利用率僅 50%

        • 10 月 15 日消息,作為當(dāng)前第二大晶圓代工商的三星電子,明年的產(chǎn)能利用率可能并不樂(lè)觀,TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì)他們 8 英寸晶圓廠的產(chǎn)能利用率,在明年將只有 50% 左右。TrendForce 表示,受需求下滑影響,三星電子 8 英寸晶圓廠,自今年下半年開(kāi)始就已有產(chǎn)能利用率下滑的跡象。外媒在報(bào)道中披露,三星電子目前在京畿道器興運(yùn)營(yíng)有一座 8 英寸的晶圓廠,月產(chǎn)能 20 萬(wàn)片晶圓,主要生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)集成電路、圖像傳感器、智能手機(jī)電源管理芯片等。在報(bào)道中外媒也提到,由于客戶削減訂單,三星電子
        • 關(guān)鍵字: 晶圓廠  三星  

        消息稱內(nèi)存、閃存元器件采購(gòu)成本上漲 20-30%,Q4 起逐漸波及手機(jī)等產(chǎn)品

        • IT之家 10 月 13 日消息,據(jù)華爾街見(jiàn)聞報(bào)道,供應(yīng)鏈上下游龍頭公司透露稱,受三星等存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)以及國(guó)內(nèi)閃存龍頭存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)能不足的影響,內(nèi)存和閃存元器件采購(gòu)成本逐步上漲。報(bào)道稱,相較此前低位,國(guó)內(nèi)有存儲(chǔ)器下游龍頭閃存采購(gòu)成本已上漲近 20%,內(nèi)存采購(gòu)成本上漲約 30%。隨之而來(lái)的影響,即從今年四季度開(kāi)始,存儲(chǔ)元器件成本上漲所帶來(lái)的影響將逐漸傳導(dǎo)至消費(fèi)端,筆記本電腦、手機(jī)等終端產(chǎn)品可能面臨漲價(jià)局面。同樣在今天上午,@數(shù)碼閑聊站 也發(fā)文稱“上游搞了個(gè)騷操作”,并直言內(nèi)存和存儲(chǔ)“白菜價(jià)的時(shí)代要過(guò)去
        • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)  

        三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過(guò)60% 將影響明年訂單競(jìng)爭(zhēng)

        • 作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝,臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn),其中三星電子是在6月30日開(kāi)始量產(chǎn),臺(tái)積電則是在12月29日開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報(bào)道來(lái)看,這兩大廠商3nm制程工藝的良品率,目前均還在60%以下,在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過(guò)60%,臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%,高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片,良品率達(dá)到了60%,但由于并不包括邏輯芯片的SRAM,不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。3n
        • 關(guān)鍵字: 三星  臺(tái)積電  3nm  制程  芯片  

        三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權(quán)

        • 10月9日,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào),美國(guó)目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下,三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉,無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User(VEU)清單來(lái)取得。若被納入該清單,便無(wú)需額外獲得許可,代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示,“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
        • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導(dǎo)體設(shè)備  

        由于芯片虧損擴(kuò)大,三星電子預(yù)計(jì)第三季度利潤(rùn)將下降 78%

        • IT之家 10 月 11 日消息,三星電子周三報(bào)告稱,第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能下降 78%,原因是全球芯片供應(yīng)過(guò)剩的持續(xù)影響導(dǎo)致這家韓國(guó)科技巨頭的搖錢(qián)樹(shù)業(yè)務(wù)出現(xiàn)虧損。這家全球最大的存儲(chǔ)芯片和智能手機(jī)制造商在一份簡(jiǎn)短的初步收益聲明中預(yù)計(jì),7 月至 9 月的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將從一年前的 10.85 萬(wàn)億韓元降至 2.4 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 129.6 億元人民幣)。這跟此前一些分析師的預(yù)測(cè)基本相符,出于對(duì)經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂,智能手機(jī)和個(gè)人電腦制造商一直在避免購(gòu)買新的存儲(chǔ)芯片,而是選擇在幾個(gè)月內(nèi)耗盡現(xiàn)有庫(kù)
        • 關(guān)鍵字: 三星  芯片  

        三星正在開(kāi)發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨

        • 三星電子日前表示,計(jì)劃開(kāi)始提供HBM3E樣品,正在開(kāi)發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒,三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開(kāi)發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示,計(jì)劃開(kāi)始提供HBM3E樣品,正在開(kāi)發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。他透露,三星電子還準(zhǔn)備針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF(非導(dǎo)電粘合膜)組裝技術(shù)和HCB(混合鍵合)技術(shù),以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外,三星還計(jì)劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù),公司今年年初為此成立了AVP(高級(jí)封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì),以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門(mén)之間的協(xié)同作用。
        • 關(guān)鍵字: 三星  HBM3E  HBM4  

        全球芯片供應(yīng)持續(xù)過(guò)剩 三星第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)或下滑80%

        • 10月10日消息,因受到全球芯片供應(yīng)持續(xù)過(guò)剩的影響,三星電子的“搖錢(qián)樹(shù)”業(yè)務(wù)第三季度可能出現(xiàn)巨額虧損,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)將較上年同期下降80%。作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商,三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績(jī)。LSEG SmartEstimate對(duì)19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示,在第三季度,三星電子的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)可能降至2.1萬(wàn)億韓元(約合15.6億美元)。相比之下,去年第四季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.85萬(wàn)億韓元(約合80億美元)。三星營(yíng)業(yè)利潤(rùn)大幅下滑的原因是,由于內(nèi)存芯片價(jià)格未能像部分人預(yù)期的那樣迅速回
        • 關(guān)鍵字: 全球芯片  過(guò)剩  三星  內(nèi)存芯片  智能手機(jī)  電視制造商  
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