- IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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- 2024年第一季度全球OLED面板市場出貨量排名出爐,最新數據顯示中國廠商在OLED面板市場的表現令人矚目,前五名中獨占四席。隨著技術進步和市場需求增加,預計未來中國將繼續成為全球OLED產業的重要參與者之一。根據群智咨詢的統計數據,全球智能手機面板市場在本季度出貨量約為5.4億片,同比增長約24.4%。三星依然以42.4%的市場份額保持全球OLED智能手機面板市場的領頭羊地位,掌握著全球手機近一半市場。三星OLED面板利潤也是行業最高,主打高端定位,除了三星Galaxy S24系列自家產品使用,還有iP
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- 存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E,美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達驗證,并獲訂單,三星HBM3E卻未通過驗證。外媒報導,三星至今未通過英偉達驗證,是卡在臺積電。身為英偉達數據中心GPU制造和封裝廠,臺積電也是英偉達驗證重要參與者,傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準,而三星制程與SK海力士有差異,SK海力士采MR-RUF,三星則是TC-NCF,對參數多少有影響。三星2024年第一季財報表示,八層垂直堆疊
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- 近兩年,DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡,此外在存儲器市場經歷低迷后,供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少,更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存,全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存,很可能帶動DDR3內存的價格上漲,預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3;而SK海力士則在去年
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- 5月15日消息,據市場消息稱,三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存,轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍,PC、服務器都不再使用,但因為非常成熟,功耗和價格都很低,在嵌入式領域依然大有可為,尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。但對于芯片廠商來說,DDR3利潤微薄,無利可圖,形同雞肋。而在AI的驅動下,HBM高帶寬內存需求飆升,產能遠遠無法滿足,2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿,HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據業內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的研究
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三星 NAND Flash
- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據業內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000
TB的存儲容量里程碑,為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的
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三星 1000層 NAND
- IT之家 5 月 14 日消息,據韓媒 Hankyung 報道,兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示,整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM,HBM 內存坐擁更高單價,不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下,三星電子代表預計,不僅 HBM 內存,通用 DRAM(如標準 DDR5)的價格年內也不會
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海力士 三星 DRAM
- 5月14日消息,近日,據外媒報道,三星電子已停止自動駕駛汽車研究,并且將研發人員轉移到機器人領域。負責三星中長期發展的三星先進技術研究院(SAIT),已經將自動駕駛排除在研究項目之外,將開發人員轉移到機器人領域,作為三星中長期發展的一部分。在2023年的公開活動中,三星電子曾透露,由SAIT研發的自動駕駛技術已接近"L4級",并在2022年10月在韓國完成了長達200公里的測試,且開發了自動駕駛汽車的半導體、顯示器和傳感器等相關技術。然而,由于開發難度超出預期、高級別自動就愛是商業化困
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- 韓國媒體報導,繼蘋果暫停Apple Car計劃后,三星電子也決定叫停自駕車研發項目,轉而將研發人員投入機器人領域。這也讓曾被視為未來主流趨勢的「自駕車時代」,因多家車廠相繼放棄相關技術研發,而蒙上巨大陰影。根據BusiessKorea報導,由于預期自駕車商業化還需要一段長時間,三星已經放棄第4級(Level 4)自駕技術,也就是車輛能夠自動行駛的研發階段。業界消息人士透露,三星內部負責中長程發展的三星先進技術研究院(SAIT),已將自駕計劃排除在研究項目之外,并把相關研發人員轉調到機器人領域。三星去年曾成
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- 作為引領新一輪科技革命和產業變革的戰略性技術,人工智能AI已經成為新型工業化發展的重要推動力之一。在ChatGPT熱潮推動下,當前,AI人工智能及其應用在全球迅速普及。從產業格局來看,目前英偉達在AI芯片市場幾乎掌握著絕對的話語權。而與此同時,為加速占領風口,以谷歌、微軟、蘋果等為代表的各大科技廠商都積極下場競賽。其中,Meta、谷歌、英特爾、蘋果推出了最新的AI芯片,希望降低對英偉達等公司的依賴,而微軟、三星等廠商在AI方面的投資計劃及進展亦相繼傳出。微軟:逾110億美元投資計劃公布微軟方面,近日,據多
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- 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業內人士的話稱,三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項目晶圓)的方式進行原型試產,有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業內人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表:今年下半年量產、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元(當前約 52.8 億元人民幣)的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
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三星 AI Mach-1 原型試產 4nm 工藝
- 2022年末,ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件,宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花,到無數大模型席卷全球浪潮,AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中,伴隨著人才、數據、算力的不斷升級,AI產業正展現出巨大的潛力和應用前景,并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發展對算力的需求呈現井噴的態勢,全球算力規模超高速增長。在這場浪潮中,最大的受益者無疑是英偉達,其憑借在GPU領域的優勢脫穎而出,然
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- IT之家 5 月 8 日消息,三星公司在最近召開的財報電話會議中表示,未來公司存儲業務的重心不再放在消費級 PC 和移動設備上,而是放在 HBM、DDR5 服務器內存、企業級 SSD 等企業市場。IT之家翻譯三星存儲業務副總裁 Kim Jae-june 在電話會議上表達內容如下:我們計劃到 2024 年年底,HBM 芯片的供應量比去年增加 3 倍以上。我們已經完成協調 HBM 芯片供應商,在共同努力下目標在 2025 年讓 HBM 芯片產量再翻一番。英偉達目前已經轉型成為 AI 硬件巨頭,成為全
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- 盡管美國一直在努力限制中國的技術進步,但來自韓國的報道表明一個令人擔憂的現實:中國的半導體產業正在迅速趕上,對韓國在中國市場的主導地位構成了重大挑戰。與最初的預期相反,美國的壓力并沒有顯著削弱中國的工業競爭力。事實上,中國不僅在智能手機和顯示器領域鞏固了自己的地位,而且在關鍵的半導體行業也取得了顯著進展,與韓國的發展步伐相媲美。這在中國智能手機市場上是顯而易見的,國內品牌如今已明顯領先于三星等韓國巨頭。數據顯示,三星在折疊手機市場的市場份額在2024年第一季度跌至僅有5.9%,與去年的11%相比顯著下降,
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