據BusinessKorea報道，近日，美光科技、SK海力士和西部數據等內存芯片制造商宣布，隨著全球需求的下降，他們將減產。相反，三星電子表示，它不會減少其內存芯片產量，而是通過提高生產線的效率來應對不斷變化的市場環境。
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SK海力士于26日宣布，將量產全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
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SK海力士宣布，已經全球第一家研發成功并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現了業內最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應用了一系列創新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業內存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產的比特容量也比96層堆疊增加了40％。雖然包括SK
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DRAM價格第2季大幅走跌，根據供應鏈透露，6月起DRAM顆粒現貨價格再度走跌，主流交易規格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
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NAND閃存價格從2018年初到現在已經連跌6個季度了，廠商一方面在削減產能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
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SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片，并為下代內存做好準備。
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根據據韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀。 在韓國電子產品價格比較網“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%。 B2B(企業間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
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這兩年，DRAM內存、NAND閃存市場跌宕起伏，也帶動內存條、固態硬盤持續動蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿缽滿，甚至不惜刻意壓制產能來把控市場。 但是時過境遷，整個市場風云突變，由于季節性因素、庫存積壓、價格走低等因素影響，三巨頭的日子越來越不好過了。 根據DigiTimes的調研數據，2018年第四季度，三星電子、SK海力士、美光的內存、閃存總收入同比大跌了26%，環比也減少了18%，其中內存17%、閃存20%。 由于存儲芯片價格跌勢不斷，下游渠道
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近日，SK海力士負責人在接受采訪時表示，準備在2020年發布DDR5內存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內存也開始策劃了，將在5~6年內研發。
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SK海力士官方宣布，公司已經研發出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規范的DDR5。 據介紹，新內存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標準的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節省30%的功耗，同時工作頻率高達5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產這款新型DDR5內存顆粒。 市調機構IDC的數據顯示，DDR5內存需求將在20
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最近中國DRAM企業福建晉華遭到美國禁止輸出半導體設備和材料，在福建晉華遇到困境的時候，韓國企業們趁機開始加速“超差距”戰略。
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30日起，美國對中國福建晉華實施的緊急禁售令開始生效，間接在半導體市場又掀起新的漣漪。外界開始看好韓國的半導體產業，這樣的期盼也即時反映到股市中，30日三星電子和SK海力士皆以強漲作收，市場反應似乎透露三星、SK海力士有機會借此大賺貿易戰爭財? 在貿易戰的中美矛盾不斷激化的情況下，美國商務部周一(29日)緊急宣布，為了維護國家安全，對中國福建晉華集成電路實施緊急禁售令，將福建晉華列入美國產品、軟件和技術出口的黑名單，這與之前中興通訊受到的懲罰手法相似。 這一禁令的實施，讓外界開始觀望韓國半導體是否
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據外媒IAM報道，雖然SK海力士目前在美國面臨著ITC調查，并在中國大陸遭受著專利侵權問題困擾，但近幾個月的專利轉讓數據表明，SK海力士仍與既有合作伙伴成功達成了數項新交易。 報道稱，SK海力士在其2018年第二季度財報中，兩次補充了專利組合。SK海力士先后收購了惠普(HP)和美國集成設備技術公司(IDT)的專利資產。 來自美國專利局(USPTO)的記錄表明，今年4月，HP 有六項專利轉讓給 SK 海力士。據ROL律師事務所(Richardson Oliver Law Group)2018年第二季
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內存價格已經連續上漲兩年多，業內普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常，但還沒來得及興奮，壞消息就來了。
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正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束，亮點頗多。 Keynote環節，倒數第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二。 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數多)。 其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(閃迪)的B
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