HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰，2025年HBM是否過剩仍待觀察

近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現產能過剩局面。

根據TrendForce集邦咨詢最新調查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快，有望于今年底完成驗證。

市場傳出因部分DRAM供應商積極增加硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程產能，將造成2025年出現供過于求與價格下滑的可能。根據兩家韓國DRAM廠商目前的TSV產能提升計劃，Samsung將從2024年底的單月120K至2025年底增加為單月170K，提升幅度超過40%，而SK hynix在同期的月產能提升比例預估為25%。但由于廠商產品尚未完全通過驗證，產能提升規劃是否能落實有待觀察。

吳雅婷表示，從過去HBM3與HBM3e世代的量產歷程來看，8hi產品的良率至少歷經兩個季度的學習曲線才達到穩定，因此，當市場需求快速轉向HBM3e 12hi產品時，預計學習曲線也無法明顯縮短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都將采用HBM3e 12hi，由于整機造價高昂，對HBM的穩定度要求將更嚴苛，無疑成為了HBM3e 12hi量產過程的一項變量。

TrendForce集邦咨詢預估，受AI平臺積極搭載新世代HBM產品推動，2025年HBM需求位元將有逾80%落在HBM3e世代產品上，其中12hi的占比將超過一半，成為明年下半年AI主要競爭廠商爭相競爭的主流產品，其次則是8hi。因此，即便出現供過于求情況，推測最有可能發生在HBM2e和HBM3等舊世代產品上，至于對各DRAM供應商的影響程度，將取決于各家的產品組合。

目前TrendForce集邦咨詢對DRAM產業展望維持不變，預估2025年HBM將貢獻10%的DRAM總位元產出，較2024年增長一倍。由于HBM平均單價高，估計對DRAM產業總產值的貢獻度將突破30%。