- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發與部署方面發揮了關鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG
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瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
- 人工智能AI浪潮下，以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發展契機，而與此同時，在服務器需求推動下，存儲產業的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前，AI及大數據的快速發展帶動服務器CPU內核數量同步增加，為滿足多核CPU中各內核的數據吞吐要求，需要大幅提高內存系統的帶寬，在此情況下，服務器高帶寬內存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節當地時間7月22日，JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內存模組
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存儲產業 HBM MRDIMM MCRDIMM
- 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內存超過?128GB?的應用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數據中心工作負載方面，表現優于當前的?TSV RDI
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美光 MRDIMM 低延遲主存 數據中心
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