三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。

目前臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠目前已經開始大規模生產4nm，特別是在美國特朗普政府即將出臺針對半導體的加征關稅政策之后，英偉達、蘋果、AMD等美國芯片設計大廠也紛紛開始下單臺積電亞利桑那州晶圓廠4nm制程，以期降低未來美國半導體關稅政策的影響。其中，AMD不久前就宣布旗下第五代EPYC服務器處理器已在臺積電亞利桑那州晶圓一廠生產。

三星技術信任危機

AMD過去曾一直采用雙重代工供應商策略，AMD也計劃與三星晶圓代工的4nm（SF4X）制程廣泛合作，不限EPYC服務器處理器，還包括Ryzen APU和Radeon GPU等產品。這一舉措對三星而言具有重要的戰略意義，但現在卻走向了失敗。雖然目前尚不確定是否僅僅因為EPYC而放棄這筆交易，但AMD似乎對三星代工廠的興趣正在下降。

據產業鏈權威消息，AMD已正式通知三星取消原計劃采用其第四代4nm工藝（SF4X）生產服務器CPU的I/O芯片訂單，這一決策距離三星3月宣布SF4X工藝量產僅過去兩個月。

三星SF4X工藝主打「成本優化」，理論上可降低15%制造成本并提升8%性能指標，其報價比臺積電同級別工藝低約20%，且承諾快速交付。然而，實際量產表現顯然未達客戶預期 —— AMD評估后認為，三星4nm工藝在電壓穩定性、漏電控制等關鍵指標上存在缺陷，難以滿足服務器芯片的高可靠性需求。

根據TrendForce最新報告，AMD此次調整主要基于三星SF4X工藝的良率問題。盡管三星聲稱其4nm整體良率已提升至70%以上，但SF4X作為專為高性能計算（HPC）優化的版本，在晶體管密度、功耗控制等關鍵指標上未能達到AMD預期。例如，臺積電N4P工藝在晶體管密度（約1.8億/mm2）和能效比上優于三星SF4X（約1.5億/mm2），在200mm晶圓測試中HBM4集成良率僅為62%，顯著低于臺積電的85%，且SF4X的互連延遲較臺積電N4P工藝高出15%。

AMD的技術調整并非偶然。早在2024年6月，天風國際分析師郭明錤就曾指出AMD與三星在3nm GAA工藝上“無實質進展”，轉而將資源投向臺積電的2nm研發，此次4nm合作終止正是這一戰略的延續。行業人士透露，三星3nm工藝良率長期低于50%，導致高通、英偉達等大客戶流失，這種技術信任危機延伸至4nm領域。臺積電N4P工藝基于5nm平臺優化，性能較三星SF4X提升11%，功耗降低22%，且通過減少光罩層數降低了30%的制造成本。盡管三星的SF4X工藝采用了創新的后端布線技術，但市場對其穩定性和成熟度仍存疑慮。

目前來看，三星代工的勢頭確實不容樂觀，其晶圓代工部門的尖端制程良率一直低于臺積電，且未獲得大客戶，并不是新鮮事，其第二代3nm制程被傳良率至今也只有30%左右，這也直接導致了三星放棄了今年年初發布的年度旗艦智能手機Galaxy S25系列搭載自研的Exynos 2500芯片，決定全面改用高通驍龍8 Elite。而放棄Exynos 2500的這項決定，也導致三星此前在Exynos 2500上的研發和制造投入基本打了水漂，再加上全面外購高通的旗艦芯片，使得其今年的零組件支出大幅上升，更直接造成約4億美元損失。

三星代工正面臨前所未有的經營壓力，據市場研究機構預測，三星代工業務的毛利率已從去年同期的42%降至本季度的31%，這一趨勢若持續，將對其長期發展構成嚴峻挑戰。除了先進制程的技術瓶頸，傳統制程市場需求的下滑也迫使三星不得不采取收縮策略，近期已關閉部分生產線以控制成本，預計將影響其28nm等成熟制程約12%的產能。

此次AMD的決策對全球半導體產業鏈產生連鎖反應，可能導致市場進入臺積電一家獨大的新階段。臺積電憑借N4P工藝的成熟度，已包攬蘋果 A17、英偉達 H200等頭部客戶的訂單。與此同時，臺積電4nm產能逐步釋放，尤其是為英偉達Blackwell GPU訂單調整后，AMD成功爭取到更多代工資源。臺積電憑借技術、產能和地緣政治優勢，幾乎壟斷了高端芯片制造，而三星若不能在2nm領域實現技術突破，其代工業務可能很難再追上臺積電，今年第一季度，三星與臺積電的市場份額差距進一步拉大至60個百分點以上。市場研究機構Counterpoint預測，若三星無法在十二個月內實現3nm良率突破60%，并穩定4nm工藝表現，其代工市場份額或將跌破10%。

除技術因素外，美國出口管制政策也是AMD調整供應鏈的關鍵動因，迫使其尋求 “本土化” （onshoring）解決方案，臺積電亞利桑那工廠的4nm產能符合美國《芯片與科學法案》要求，可規避潛在的出口風險。美國的《芯片與科學法案》迫使三星關閉30%的先進制程產線，直接導致2024年半導體業務利潤暴跌52%。

三星更深層的危機在于技術路線的戰略失誤，近年研發投入增速放緩，過度押注內存芯片的“暴利時代”，卻忽視了AI時代對異構計算、先進封裝等技術的需求，陷入“技術突破滯后-客戶流失-研發投入受限”的惡性循環。當臺積電3nm工藝良率突破80%時，三星的4nm產線良率仍在60%徘徊，這種技術代差使三星在價值5000億美元的全球AI芯片市場中逐漸邊緣化。而三星引以為傲的垂直整合模式，在柔性供應鏈時代顯露疲態，凸顯出決策鏈條冗長的軟肋。李在镕試圖以「技術優先」破局，提出“第一是技術，第二是技術，第三是技術”的口號，并計劃重組研發體系。

期待高通“回歸”

目前三星正在積極將資源投入2nm制程的研發，最新的消息顯示，三星和高通展開協商將部分第二代驍龍8 Elite芯片交由三星2nm工藝代工，可能率先搭載在2026年下半年推出的Galaxy Z Fold8和Galaxy Z Flip8兩款折疊旗艦手機中。三星計劃今年第二季度完成設計工作，明年第一季度開始投片，在其尖端工廠華城S3生產，月產量預計為1000片，僅占2nm總產能（月7000片）的15%，因此被認為并非大規模訂單。

這是時隔三年，三星再次為高通生產手機芯片，此前曾在2020年和2022年分別以5nm和4nm制程為高通生產應用處理器，2022年下半年后，高通將4nm以下尖端芯片生產全數交由臺積電。韓媒認為此次高通“回歸”被視為三星的寶貴機會，雖然訂單量不足以直接扭轉虧損，但它打破了臺積電對高通旗艦芯片的壟斷，業內人士指出，這或是高通為制衡臺積電漲價采取的「戰略備胎」方案。

雙方還合作開發了基于4nm工藝的擴展現實（XR）專用芯片，將用于三星移動體驗（MX）部門下半年推出的代號“Moohan”的混合現實設備。對三星而言，拿下高通訂單只是開始，如何將2nm良率提升至可商用水平，才是真正考驗。

此外，傳聞三星明年將重新推出自研的旗艦處理器Exynos 2600，由于良率偏低導致可供出貨的芯片數量不足，Galaxy S26系列中僅歐洲版機型采用，而高通新一代驍龍旗艦芯片將比Exynos 2600性能優勢更高。推測三星選擇部分Galaxy S26系列機型選擇搭載Exynos 2600主要是為了壓低日益上升的芯片采購成本壓力，而非追求性能競爭力。

2025年第一季財報顯示，三星重申目標是下半年穩定2nm GAA制程的良率，并進行量產。目前Exynos 2600在2nm制程上的試產良率約30%，雖然偏低，但數字相較3nm時有明顯進步，若三星良率提升至60%，有望達到全面量產標準，為Exynos 2600正式商用鋪路。

三星曾是全球首個量產3nm GAA（全環繞柵極晶體管）工藝的廠商，試圖以技術革新搶占市場。GAA工藝相比傳統FinFET在性能、功耗和面積（PPA）上具有理論優勢，其第二代3nm GAA可降低50%功耗并提升30%性能。然而，這一激進的技術路線卻成為雙刃劍。由于GAA工藝復雜，三星3nm良率長期在20%-50%間徘徊，遠低于大規模生產所需的60%門檻，導致高通、英偉達等大客戶轉向臺積電的FinFET改良版3nm工藝。

為集中資源，今年三星宣布取消原定2027年量產的1.4nm工藝（SF1.4），轉向優化2nm節點。臺積電憑借技術穩定性和成熟生態，2025年代工市占率高達67.1%，而三星則從2021年的13.5%暴跌至8.2%。這一差距在先進制程領域更為顯著，當下臺積電3nm獨占蘋果、高通、聯發科等訂單，2nm試產即獲英特爾、英偉達等巨頭預定；而三星3nm僅剩少量邊緣客戶，2nm訂單依賴日本企業“救場”。

HBM市場也很重要

AMD的戰略調整折射出全球半導體產業的深層變革。以技術路線分化為例，臺積電通過N4P、N3E等工藝構建技術護城河，而三星試圖通過HBM4與3nm GAA實現差異化競爭。但是在高帶寬內存（HBM）領域，三星因技術缺陷遲遲未通過英偉達認證，導致其HBM3E產品交付比SK海力士落后至少半年。

據韓國媒體ZDNet Korea報導，三星在2月份左右開始全面量產HBM3E 12Hi（12層堆疊，單堆棧36GB容量），但至今仍未通過英偉達供應資格測試，可以說該決策存在積累大量庫存的風險。三星此舉是考慮到HBM3內存從DRAM制造到封裝的整個流程需要5~6個月的時間， 即使能在今年6~7月獲得最大潛在客戶英偉達的供貨許可，那按一般流程實際出貨也要等到今年末。按照英偉達的快速產品迭代節奏，屆時已有部分需求向HBM4轉移。

在三星看來，其業績要想恢復增長，就必須要在HBM市場獲得突破。消息人士表示，三星對其增強型HBM3E 12Hi的性能和穩定性充滿信心，認為可順利通過英偉達的認證流程。提前量產的節奏意味著可實現“批準即供應”，這將有助于三星實現今年HBM內存供應比特數達去年2倍的目標。