AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠

Micron Technology 已開始在新加坡建設其價值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設施將于 2026 年開始運營。

美光的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 封裝設施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設施將使用先進的人工智能驅(qū)動的自動化來提高運營效率，但該公司沒有透露人工智能將在何處以及如何使用。

雖然美光憑借優(yōu)質(zhì) HBM3E 內(nèi)存引領行業(yè)，但在 HBM 市場份額方面，與三星和 SK 海力士相比，該公司仍處于劣勢。在某種程度上，這是由于美光沒有韓國競爭對手那樣龐大的 DRAM 制造能力（而 HBM 內(nèi)存芯片比傳統(tǒng)內(nèi)存 IC 占用更多的容量）。然而，在某種程度上，這可以歸因于缺乏龐大的 HBM 組裝能力。

美光正在逐步增加其現(xiàn)有設施的 HBM3E 產(chǎn)量，希望在 2025 年年中搶占 20% 的 HBM 市場份額。然而，隨著新的新加坡組裝廠于 2026 年上線，該公司希望獲得更大的市場份額。

“隨著 AI 在各行各業(yè)的普及，對高級內(nèi)存和存儲解決方案的需求將繼續(xù)強勁增長，”美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示。“在新加坡政府的持續(xù)支持下，我們對 HBM 先進封裝工廠的投資加強了我們應對未來不斷擴大的 AI 機會的地位。”

雖然新設施將為組裝 HBM 堆棧量身定制，但它也可用于組裝 3D NAND 封裝，因為硅通孔 （TSV） 的組裝技術通常相似。

該項目最初將創(chuàng)造約 1,400 個工作崗位;擴建可能會將這個數(shù)字增加到 3,000 人。這些角色將包括包裝開發(fā)、組裝和測試操作。