powermosfet 文章 進(jìn)入powermosfet技術(shù)社區(qū)
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。
- 關(guān)鍵字： 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT PowerMOSFET ACPL-33xJ
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 隔離驅(qū)動(dòng) PowerMOSFET 功率器件
| 共2條 1/1 1 |
powermosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條powermosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)powermosfet的理解，并與今后在此搜索powermosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)powermosfet的理解，并與今后在此搜索powermosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473