4nm 文章 進入4nm技術(shù)社區(qū)
消息稱臺積電 3nm 獨家代工高通驍龍 8 Gen 4，三星良率仍不理想
- IT之家 12 月 1 日消息，臺媒科技新報今日發(fā)布報告稱，高通的下一代旗艦 3nm 驍龍 8 Gen 4 處理器，仍然僅由臺積電代工，而非此前傳言的臺積電和三星雙代工模式。報告稱，根據(jù)最新的行業(yè)信息，由于三星對明年 3nm 產(chǎn)能的保守擴張計劃和良率不理想，高通已正式取消明年處理器使用三星的計劃。雙代工模式被推遲到 2025 年。去年 6 月底，三星開始大規(guī)模生產(chǎn)第一代 3nm GAA（SF3E）工藝，這標志著三星首次將創(chuàng)新的 GAA 架構(gòu)用于晶體管技術(shù)。第二代 3nm 工藝 3GAP
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臺積電高雄廠已完成2nm營運團隊建設(shè)，未來或切入1.4nm
- 據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠（Fab 22），并且完成該廠2nm營運團隊建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉(zhuǎn)向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時生產(chǎn)最先進制程的慣例，將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃，改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際，也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中
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三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上
- IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過 75%，這引發(fā)了人們對于三星擴大半導體代工客戶的猜測。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺積電。結(jié)果，去年臺積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
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臺積電美國亞利桑那工廠 4nm 明年量產(chǎn)，高通承諾將是首批客戶
- 3 月 19 日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，臺積電美國亞利桑那州廠預計 2024 年量產(chǎn) 4nm，高通全球資深副總裁暨首席營運長陳若文表示，高通將是臺積電美國廠 4nm 的首批客戶。高通于 3 月 17 日舉行新竹大樓落成啟用典禮，臺積電歐亞業(yè)務(wù)暨研究發(fā)展資深副總經(jīng)理侯永清出席致意，并參加高通舉辦的產(chǎn)業(yè)高峰會，展現(xiàn)雙方的緊密關(guān)系。對于媒體關(guān)心高通是否評估在臺積電亞利桑那州廠投片生產(chǎn)，陳若文說，高通很早就開始評估，高通會是臺積電美國廠 4nm 制程的首批客戶。去年 12 月，臺積電將其對去年底開始建設(shè)的亞
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臺積電拿下特斯拉4納米芯片訂單
- 業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電在亞利桑那州的美國新工廠已獲得特斯拉的4納米芯片訂單，預計將于2024年開始量產(chǎn)。消息人士稱，當臺積電亞利桑那工廠開始履行其先進自動駕駛芯片的訂單時，特斯拉可能成為臺積電亞利桑那工廠的前3大客戶之一。特斯拉技術(shù)約領(lǐng)先競爭對手3~5年，先前與臺積電合作多時，最后2019年特斯拉卻將自駕芯片Hardware 3.0交由三星14納米、7納米制程代工生產(chǎn)。但隨著AI運算能力與安全性需求大增，三星因7納米以下制程良率與效能不佳，即使代工報價再便宜，特斯拉也不得不回頭與臺積電合作，業(yè)界盛傳Hard
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“中國芯片標準”發(fā)布第6天，國產(chǎn)4納米芯片傳來好消息，這太快了
- 想必大家也都感受到，似乎全球的各大經(jīng)濟體都在爭搶芯片資源，尤其是高端芯片資源，其中尤其以芯片制造最為矚目，例如像日韓美歐都在大力發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，甚至一些亞洲的發(fā)展中國家也在芯片產(chǎn)業(yè)提供各種補貼，以期望在芯片產(chǎn)業(yè)中占有一席之地。但要想在芯片產(chǎn)業(yè)中有所作為，尤其是掌握一定的話語權(quán)，關(guān)鍵是要在根技術(shù)上打好基礎(chǔ)，而這個根技術(shù)，就是制定相應(yīng)的技術(shù)標準，美國芯片企業(yè)之所以得以在全球所向披靡，就是因為在芯片產(chǎn)業(yè)的早期，它們制定的企業(yè)標準逐步成為了行業(yè)標準，不僅提供授權(quán)可以獲得大量收益，還維護了其市場地位，可謂形成良性循環(huán)
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英特爾4nm芯片已準備投產(chǎn)：“IDM2.0”戰(zhàn)略能否重振昔日霸主？
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾正在推進4nm和3nm制程工藝量產(chǎn)。英特爾副總裁、技術(shù)開發(fā)主管Ann Kelleher在舊金山的一場新聞發(fā)布會上透露英特爾正在實現(xiàn)為公司重奪半導體制造業(yè)領(lǐng)先地位而制定的所有目標。同時，Kelleher表示英特爾目前在大規(guī)模生產(chǎn)7nm芯片的同時，還做好了生產(chǎn)4nm芯片的準備，并將在2023年下半年準備生產(chǎn)3nm芯片。7nm制程工藝大規(guī)模量產(chǎn)，4nm制程工藝準備開始量產(chǎn)，明年下半年準備轉(zhuǎn)向3nm制程工藝，也就意味著他們在先進制程工藝的量產(chǎn)時間上，與臺積電和三星電子這兩大代工商的差距在縮小
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臺積電亞利桑那工廠將于2024年開始生產(chǎn)4納米芯片
- 12月1日消息，據(jù)國外媒體報道，據(jù)知情人士透露，在蘋果等美國客戶的推動下，臺積電投資120億美元在亞利桑那州建設(shè)的新工廠將于2024年開始生產(chǎn)4納米芯片。據(jù)悉，該工廠于2020年5月15日宣布，2021年6月份開始動工建設(shè)，今年夏天封頂，計劃2024年開始量產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能為20000片晶圓。據(jù)報道，該工廠最初計劃從生產(chǎn)5納米芯片開始，但隨著蘋果和其他公司越來越多地尋求從美國采購零部件，臺積電已經(jīng)升級了計劃，以便該工廠能夠供應(yīng)更多尖端芯片。消息人士稱，臺積電預計將在下周二宣布新計劃。11月中旬，蘋果首席執(zhí)行
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三星4nm芯片仍未達標？Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2
- 據(jù)外媒報道，三星Galaxy S23系列手機將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機。但在今年推出Galaxy S22系列手機時，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財務(wù)官的一份文件中，相關(guān)人士表示Galaxy S
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Intel“4nm EUV”工藝再下一城：x86之外也生產(chǎn)了RISC-V處理器
- Intel今年的13代酷睿處理器還會繼續(xù)使用Intel 7工藝，14代酷睿Meteor Lake則會升級到Intel 4工藝——這是Intel對標友商4nm的工藝，而且首次使用EUV光刻技術(shù)，今年下半年已經(jīng)試產(chǎn)，其晶體管的每瓦性能將提高約20%。 Intel的4nm EUV工藝不僅會用于生產(chǎn)自家的x86處理器，同時還會用于旗下的IFS晶圓代工部門，也就是開放給其他廠商，最新消息稱4nm EUV工藝已經(jīng)為SiFive公司生產(chǎn)了代號Horse Creek處理器。 現(xiàn)在這款處理器已經(jīng)從工廠回到了實驗室，
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Credo正式推出基于臺積電5nm及4nm先進制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品
- ?Credo Technology（納斯達克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶在高性能計算、交換芯片、人工智能、機器學習、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長距（LR+）、長距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進的混合信號以及數(shù)字信號處理（DSP）1
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AMD新路線圖 2024年上市4nm Zen5處理器
- AMD 在近日的2022 年金融分析師日的演講中，展示了其下一代“Zen 5”CPU 微架構(gòu)。該公司最新的 CPU 微架構(gòu)路線圖還證實，帶有 3D 垂直緩存 (3DV Cache) 的“Zen 4” CCD 核心在大量生產(chǎn)中中，包括 EPYC（霄龍）“Genoa”處理器產(chǎn)品線。 AMD 表示，目前已經(jīng)完成了“Zen 3”架構(gòu)的設(shè)計目標，將其構(gòu)建在 7 nm 和 6 nm 節(jié)點上。新的“Zen 4”架構(gòu)將在 5 nm 節(jié)點 (TSMC N5) 上首次亮相，
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個EUV工藝。 14代酷睿的架構(gòu)也會大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計，彈性集成多個小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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4nm介紹
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