臺積電重申1.4nm級工藝技術不需要高數值孔徑EUV

臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長期立場。該公司的下一代工藝技術不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術。為此，TSMC 不會為這些節點采用 High-NA EUV 工具。

“當臺積電使用 High-NA 時，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡單，”副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動中說。“每當我們看到 High-NA 將提供有意義、可衡量的好處時，我們就會這樣做。對于 A14，我之前談到的增強在不使用 High-NA 的情況下非常顯著。因此，我們的技術團隊繼續尋找一種方法來延長當前 EUV 的使用壽命，同時獲得擴展優勢。

臺積電的 A14 工藝依賴于該公司的第二代納米片柵極全環繞晶體管，以及新的標準單元架構。據臺積電稱，A14 在相同的功率和復雜性下提供高達 15% 的性能提升，或者在相同頻率下降低 25% 至 30% 的功耗。在晶體管密度方面，A14 在混合邏輯/SRAM/模擬配置方面比 N2 提高了 20%，在純邏輯方面提高了 23%。

這種性能、功率和晶體管密度的增加代表了所謂的“全節點優勢”，然而，臺積電不需要下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具，即可在其 A16 和 A14 工藝技術上生產具有可預測良率和所需性能和功率特性的芯片。應該記住，臺積電的 A16 本質上是 N2P，具有超級電源軌 （SPR） 背面供電網絡。由于臺積電不需要用于 N2 和 N2P 的高數值孔徑 EUV 工具，因此 A16 也不需要它們。相比之下，A14 是一個全新的節點，將在 2028 年用于量產，因此臺積電不需要 High-NA 這一事實是相當了不起的。

當被問及 A14 是否嚴重依賴多重圖形化時，張先生回答說他無法就具體細節發表評論，但表示臺積電的技術團隊已經找到了一種在 1.4nm 節點上生產芯片的方法，而無需使用高數值孔徑 EUV 工具，與低數值孔徑 EUV 系統的 13.5nm 分辨率相比，該工具可提供 8nm 分辨率。

“這是我們技術團隊的一項偉大創新，”Zhang 說。“只要他們繼續找到方法，顯然，我們就不必使用 High-NA EUV。最終，我們將在某個時候使用它。因此，我們需要找到一個正確的攔截點，提供最大的收益，最大的投資回報。

值得注意的是，臺積電的 A14 將在 2029 年被具有 SPR 背面供電的 A14 取代，而且代工廠似乎也不會在這次迭代中需要高 NA EUV 工具。為此，與英特爾不同，英特爾將在 2027 年至 2028 年開始使用采用其 14A 制造技術的下一代 EUV 光刻機來減少 EUV 曝光（閱讀：多重圖形化）和工藝步驟的數量，臺積電至少在 2030 年之前，甚至可能更晚，都沒有計劃使用 High-NA EUV 進行大規模生產。