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        特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片

        作者: 時間:2023-12-28 來源:SEMI 收藏

        據外媒,除了傳統客戶聯發科、AMD、英偉達、英特爾、高通外,也已確認參與(TSMC)明年的 NTO芯片設計定案(New Tape-Outs,NTOs)。報道稱,成為N3P的客戶也表明,其打算利用該尖端技術生產下一代全(FSD)智能駕駛芯片。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202312/454310.htm

        據了解,N3P工藝計劃預計在2024年投產,與N3E工藝相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。臺積電表示,N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標,以及技術成熟度,都超過了英特爾的18A工藝。



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