FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。

　　應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。

　　應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈米，未來將因制程變化而帶給設備商20至30%的成長空間;另外，3D NAND是記憶體產業數十年來最大的技術演進，隨著3D NAND堆疊層數不斷增加，亦將進一步推升半導體設備需求規模。

　　有鑒于此，應用材料針對3D NAND部分，已于今年7月推出新款蝕刻系統--Centris Sym3，據了解，該系統能改善均勻度的挑戰。所謂均勻度，指的是晶圓中央相較于晶圓邊緣的均勻和一致性，而此系統能夠提升效能和良率，目前出貨已超過300臺。

　　另外，余定陸指出，在電晶體技術方面，FinFET未來可能利用新材料，譬如矽鍺(Silicon Germanium)，或是新架構比方像Gate all Around，這些新的材料與架構將有利該公司的磊晶技術發展。

　　同時當發展至20奈米以下的制程時，在導線方面將會遇到可靠度的挑戰，為因應此挑戰，該公司利用新元素--鈷(Cobalt)，來推出化學氣相沉積鈷金屬(CVD Cobalt)系統，藉以改善可靠度的問題。

　　值得一提的是，面對中國近年半導體設備商崛起，是否對半導體設備業造成影響?余定陸認為，要發展半導體設備，必須花費至少十億美金，以及尋找適當的人才/團隊投入，同時需要較長的投資期限，因此較不容易影響原有的設備商。