3nm plus 文章 進(jìn)入3nm plus技術(shù)社區(qū)
高通新一代驍龍?zhí)幚砥骰虿捎门_積電3納米制程
- 據(jù)外媒wccftech報(bào)道，高通計(jì)劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術(shù)論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預(yù)計(jì)采用臺積電第三代3納米節(jié)點(diǎn)制程N(yùn)3P打造，相較于前代產(chǎn)品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預(yù)計(jì)達(dá)到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內(nèi)存容量增加至16MB，使
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8
- 去年末有報(bào)道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道，雖然中國大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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臺積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開 蘋果首發(fā)
- 3月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓，最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬片。與此同時(shí)，市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報(bào)告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收，這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計(jì)iP
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英特爾將在愛爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片
- 據(jù)外媒報(bào)道，英特爾確認(rèn)將于今年晚些時(shí)候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節(jié)點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報(bào)告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉(zhuǎn)至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據(jù)介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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能生產(chǎn)3nm！中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)：完全不同于ASML
- 快科技3月25日消息，據(jù)悉，中國科學(xué)院成功研發(fā)除了突破性的固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至3nm。據(jù)悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機(jī)都采用了氟化氙(ArF)準(zhǔn)分子激光技術(shù)，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發(fā)射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)整，用于光刻設(shè)備。中科院的固態(tài)DUV激光技術(shù)完全基于固態(tài)設(shè)計(jì)，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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不再是3nm！曝iPhone 18首發(fā)臺積電2nm工藝制程
- 3月21日消息，投資公司GF Securities在報(bào)告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據(jù)悉，臺積電已經(jīng)開始了2nm工藝的試產(chǎn)工作，該項(xiàng)目在新竹寶山工廠進(jìn)行，初期良率是60%，預(yù)計(jì)在2025年下半年開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。之前摩根士丹利發(fā)布報(bào)告稱，2025年臺積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬片試產(chǎn)規(guī)模，增加至5萬片左右的量產(chǎn)規(guī)模。由于產(chǎn)能爬坡以及良率
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SoC為邊緣設(shè)備帶來實(shí)時(shí)AI
- 為了解決邊緣傳統(tǒng)和 AI 計(jì)算的重大功耗挑戰(zhàn)，Ambiq 發(fā)布了 Apollo330 Plus 片上系統(tǒng) （SoC） 系列。它提供了一組豐富的外設(shè)和連接選項(xiàng)，以在邊緣推動始終在線的實(shí)時(shí) AI。該系列繼基礎(chǔ) Apollo330 Plus、Apollo330B Plus 和 Apollo330M Plus 之后，提供 250-MHz Arm Cortex-M55 應(yīng)用處理器等功能，采用 turboSPOT 和 Arm Helium 技術(shù)。還包括 48/96MH
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OpenAI 宣布 GPT-4.5 正式面向所有 ChatGPT Plus 用戶開放
- 3 月 6 日消息，OpenAI于2月28日推出 GPT-4.5 AI模型“研究預(yù)覽版”，號稱交互更自然，知識庫更廣，更能理解用戶意圖，并且“情商”更高。OpenAI 今日宣布，已向 ChatGPT Plus 用戶推出 GPT-4.5，比預(yù)期更早。據(jù)官方介紹，GPT-4.5 最先面向 ChatGPT Pro 用戶開放，現(xiàn)在起將陸續(xù)擴(kuò)展至 Plus 和 Team 用戶，然后再推廣至 Enterprise 和 Edu 用戶。此外，該模型還將在微軟Azure AI Foundry平臺上與Stabilit
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鎧俠發(fā)布PCIe 5.0 EXCERIA PLUS G4固態(tài)硬盤系列
- 全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商鎧俠株式會社，，今日宣布推出 EXCERIA PLUS G4 固態(tài)硬盤系列。該系列專為追求更高性能的游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者而設(shè)計(jì)，在提高生產(chǎn)力和降低能耗的同時(shí)，帶來更佳的 PC 體驗(yàn)。新的SSD系列即將在中國市場上市。EXCERIA PLUS G4系列采用新一代 PCIe 5.0 接口，順序讀取速度高達(dá) 10000MB/s，順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá) 8200MB/s(2) （2TB 版本），可完美應(yīng)對高性能游戲和視頻編輯的需求。在該系列中，鎧俠尤為注重優(yōu)化產(chǎn)品的能耗和散熱性能。與上一代產(chǎn)
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曝iPhone 17全系首發(fā)3nm A19系列芯片：無緣臺積電2nm工藝制程
- 11月19日消息，分析師Jeff Pu在報(bào)告中提到，iPhone 17、iPhone 17 Air首發(fā)搭載A19芯片，iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首發(fā)搭載A19 Pro芯片，這兩顆芯片都是基于臺積電第三代3nm制程（N3P）打造。據(jù)悉，iPhone 15 Pro系列首發(fā)的A17 Pro基于臺積電第一代3nm制程（N3B）打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于臺積電第二代3nm制程（N3E）打造。相比N3E，采用N3P工藝打造的芯片擁有更高的晶體管
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臺積電5nm和3nm供應(yīng)達(dá)到"100%利用率" 顯示其對市場的主導(dǎo)地位
- 臺積電的 5nm 和 3nm 工藝是該公司在市場上"最熱門"的產(chǎn)品之一，據(jù)報(bào)道，這家臺灣巨頭的利用率達(dá)到了 100%。眾所周知，臺積電是迄今為止半導(dǎo)體行業(yè)中最具主導(dǎo)地位的公司之一，原因很簡單，因?yàn)橛⑻貭柎S和三星等競爭對手在產(chǎn)品供應(yīng)方面有所懈怠，這就使得這家臺灣巨頭可以充分利用不斷涌現(xiàn)的需求。根據(jù)Ctee的報(bào)道，臺積電預(yù)計(jì)到明年5納米生產(chǎn)線的利用率將達(dá)到100%，理由是人工智能行業(yè)的需求將大幅上升。 這一進(jìn)展充分顯示了臺積電在現(xiàn)代市場中的主導(dǎo)地位，不給競爭對手任何空間。臺積電
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三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
- 根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域，臺積電拿
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