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三星3nm工藝正式發(fā)流片：采用GAA架構(gòu)
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布3nm工藝技術(shù)已正式發(fā)流片。據(jù)報(bào)道，三星的3mm工藝采用GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)。 報(bào)告稱(chēng)，三星在3納米工藝中的流片進(jìn)展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結(jié)構(gòu)，而不是臺(tái)積電或英特爾采用的FinFET結(jié)構(gòu)。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。 在技術(shù)性能方面，基于GAA架構(gòu)的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿(mǎn)足一定柵極寬度的要求。這主
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3nm工藝太貴 臺(tái)積電被投行看衰：失去關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
- 作為全球第一大晶圓代工廠(chǎng)，尤其是率先量產(chǎn)了先進(jìn)的7nm、5nm工藝之后，臺(tái)積電已經(jīng)成為影響全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)。接下來(lái)臺(tái)積電還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，然而海外投資者這時(shí)候看衰臺(tái)積電，認(rèn)為3nm節(jié)點(diǎn)太貴，臺(tái)積電將失去關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。 臺(tái)積電現(xiàn)在業(yè)績(jī)正佳，不少投行都是看好未來(lái)的，但也有投行發(fā)表了相反的看法，認(rèn)為臺(tái)積電被高估了，將其股價(jià)評(píng)級(jí)為中性，目標(biāo)股價(jià)下調(diào)到580新臺(tái)幣，比其他同行的目標(biāo)價(jià)少了20%左右。 臺(tái)積電被看衰的一個(gè)重要因素就是3nm工藝，原來(lái)臺(tái)積電預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)3nm工藝，最近有傳聞?wù)f是會(huì)延期
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠(chǎng) 臺(tái)積電 3nm
揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)
- GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
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曝華為正研發(fā)3nm芯片：麒麟9010正在設(shè)計(jì)
- 相關(guān)數(shù)據(jù)表明，近日華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)注冊(cè)“麒麟處理器”商標(biāo)，申請(qǐng)時(shí)間為上個(gè)月22日，目前狀態(tài)為“注冊(cè)申請(qǐng)中”。華為的芯片并沒(méi)有停止研發(fā)，而是緊鑼密鼓的設(shè)計(jì)中，等待著機(jī)會(huì)卷土重來(lái)。華為徐直軍前不久也表示稱(chēng)，海思的任何芯片現(xiàn)在沒(méi)有地方加工，作為華為的芯片設(shè)計(jì)部分，它并非追求盈利公司，但華為對(duì)其沒(méi)有盈利訴求，隊(duì)伍將會(huì)一直持續(xù)的存在。目前海思依然不斷做研究，繼續(xù)開(kāi)發(fā)、繼續(xù)積累，為未來(lái)做些準(zhǔn)備。而更加重磅的消息是，華為的最新3nm芯片已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)和設(shè)計(jì)了，最終命名為麒麟9010，然而從制造廠(chǎng)來(lái)看，目前臺(tái)積電的3n
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臺(tái)積電最新進(jìn)展:2nm正在開(kāi)發(fā) 3nm和4nm將在明年面世
- 全球最大的晶圓代工廠(chǎng)，擁有近500個(gè)客戶(hù)，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶(hù)提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺(tái)積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來(lái)幾年也不會(huì)臺(tái)積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的大部分資金將用于將臺(tái)積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個(gè)晶圓啟動(dòng)（WSP
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華為“捷足先登”？英特爾新技術(shù)突破3nm限制，華為早就提出過(guò)
- 近十年以來(lái)，隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速更新和以智能手機(jī)為代表的智能化產(chǎn)品的快速普及，芯片作為其中的關(guān)鍵材料，同樣迎來(lái)了發(fā)展的高速期，成功從昔日的100nm工藝制程發(fā)展到5nm工藝制程，這一速度令所有人驚訝。然而5nm并不是人們追求的最終目標(biāo)。就目前而言，5nm芯片雖然在性能上有著卓越的表現(xiàn)，但距離理想狀態(tài)還是有著一定的差距，人們也在此基礎(chǔ)上對(duì)其進(jìn)一步研發(fā)，以提高芯片工藝制程水平，讓芯片為未來(lái)的智能化產(chǎn)品提供更為優(yōu)良的基礎(chǔ)。前不久，三星就成功展示了自己已經(jīng)出具成果的3nm芯片，臺(tái)積電之后肯定會(huì)緊隨其后。毫無(wú)疑問(wèn)，
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三星率先發(fā)布3nm芯片，日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm
- 關(guān)于芯片，大多數(shù)小伙伴了解到的，當(dāng)下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm，當(dāng)然也一直流傳臺(tái)積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺(tái)積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位，可誰(shuí)也沒(méi)想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過(guò)去不久的IEEE ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上，三星首發(fā)應(yīng)用3nm工藝制造的SRAM存儲(chǔ)芯片，將半導(dǎo)體工藝再度推上一個(gè)進(jìn)程，國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)我在之前的視頻里提到過(guò)好多次，是世界最權(quán)威的行業(yè)會(huì)議，所以這也證明的三星的技術(shù)實(shí)力真的很強(qiáng)。而我國(guó)目前在生產(chǎn)工藝上，最厲害的中芯國(guó)際也只停留在今年可以實(shí)現(xiàn)7nm試
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比驍龍888更強(qiáng)！曝三星Galaxy Z Fold 3使用驍龍888 Plus
- 4月19日消息，博主@i冰宇宙在推特爆料，三星Galaxy Z Fold 3的處理器信息為最高機(jī)密，這意味著三星Galaxy Z Fold 3不會(huì)使用Exynos 2100或者高通驍龍888。據(jù)此猜測(cè)，三星Galaxy Z Fold 3可能會(huì)使用高通新一代旗艦處理器驍龍888 Plus或者Exynos芯片——Exynos 9925，后者集成AMD GPU。報(bào)道稱(chēng)三星預(yù)計(jì)在6月份發(fā)布全新的GPU，集成AMD GPU的Exynos芯片將會(huì)被命名為Exynos 9925，性能表現(xiàn)有望超過(guò)驍龍888的Adreno
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臺(tái)積電 3nm 制程本月已試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)程將提前
- 3月30日消息去年 8 月，臺(tái)積電總裁魏哲家在臺(tái)積電技術(shù)論壇上表示，3nm 預(yù)計(jì) 2021 年試產(chǎn)，將于 2022 年下半年量產(chǎn)。 據(jù)財(cái)聯(lián)社，供應(yīng)鏈消息傳出，臺(tái)積電 3nm 制程進(jìn)展順利，試產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)于預(yù)期，已于 3 月開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)并小量交貨。 臺(tái)積電對(duì)此消息回應(yīng)稱(chēng)，不評(píng)論市場(chǎng)傳聞。 IT之家了解到，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音此前透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展，進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前。 據(jù)臺(tái)媒Digitimes 此前報(bào)道，臺(tái)積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程，原本預(yù)計(jì) 2021 年第四季度試產(chǎn)，2
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臺(tái)積電和蘋(píng)果合作致力2nm工藝開(kāi)發(fā)，傳聞3nm芯片訂單勢(shì)頭強(qiáng)勁
- 近期臺(tái)積電（TSMC）和蘋(píng)果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項(xiàng)突破。 目前手機(jī)開(kāi)始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預(yù)計(jì)將使用更先進(jìn)的N5P節(jié)點(diǎn)工藝制造，預(yù)計(jì)蘋(píng)果將在2021年占據(jù)臺(tái)積電80%的5nm產(chǎn)能。不過(guò)臺(tái)積電很快將向3nm工藝推進(jìn)，并且進(jìn)一步到2nm工藝，這都只是時(shí)間問(wèn)題。 據(jù)Wccftech報(bào)道，為了更好地達(dá)成這些目標(biāo)，臺(tái)積電和蘋(píng)果已聯(lián)手推動(dòng)芯片的開(kāi)發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺(tái)積電和蘋(píng)果都為了同一個(gè)目標(biāo)而努力，不過(guò)受益者可能不只是蘋(píng)果，還有英特爾。臺(tái)
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臺(tái)積電今年提前投產(chǎn)3nm：Intel也要用！
- 在新制程工藝推進(jìn)速度上，臺(tái)積電已經(jīng)徹底無(wú)敵，Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。據(jù)最新消息，臺(tái)積電將在今年下半年提前投產(chǎn)3nm工藝，雖然只是風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)和小規(guī)模量產(chǎn)，但也具有里程碑式的意義。很自然的，臺(tái)積電會(huì)在明年大規(guī)模量產(chǎn)3nm，初期產(chǎn)能每月大約3萬(wàn)塊晶圓，到了2023年可達(dá)每月10.5萬(wàn)塊晶圓，趕上目前5nm的產(chǎn)能，而后者在去年第四季度的產(chǎn)能為每月9萬(wàn)塊晶圓。根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù)，3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。據(jù)悉，蘋(píng)果將是臺(tái)積
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消息稱(chēng)臺(tái)積電將量產(chǎn)3nm芯片：性能、功耗大幅優(yōu)于5nm
- 據(jù)外媒最新消息稱(chēng)，臺(tái)積電有望在2022年下半年開(kāi)始啟用3nm制造工藝，屆時(shí)該晶圓廠(chǎng)將有能力處理3萬(wàn)片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。據(jù)報(bào)道，得益于蘋(píng)果的訂單承諾，臺(tái)積電計(jì)劃在2022年將3nm工藝的月產(chǎn)能擴(kuò)大到5.5萬(wàn)片，并將在2023年進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)量至10.5萬(wàn)片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺(tái)積電計(jì)劃在今年全年擴(kuò)大5nm工藝的制造能力，以滿(mǎn)足主要客戶(hù)日益增長(zhǎng)的需求。根據(jù)今天的報(bào)告，臺(tái)積電將在2021年上半年將規(guī)模從2020年第四季度的9萬(wàn)片提升至每月10.5萬(wàn)片，并計(jì)劃在今年下
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CES上演芯片競(jìng)賽 英特爾CEO司睿博：我們不是守成派
- 巨頭們進(jìn)一步更新自家產(chǎn)品線(xiàn)。 1月11-14日，CES消費(fèi)電子展在線(xiàn)上拉開(kāi)2021年科技界的序幕，除了機(jī)器人、可穿戴、未來(lái)電視等終端產(chǎn)品之外，核心的芯片廠(chǎng)商也亮出大招，展開(kāi)新一代處理器的軍備競(jìng)賽。 其中，英特爾在CES發(fā)布會(huì)上猛秀技術(shù)肌肉，推出了四大全新處理器家族，主要面向PC端的商用、教育、移動(dòng)和游戲計(jì)算領(lǐng)域，一共涉及50多款處理器產(chǎn)品，并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。其中就包括第11代酷睿S系列臺(tái)式機(jī)處理器（代號(hào) “Rocket Lake-S”）及其下一代處理器（代號(hào)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 3nm 英特爾
臺(tái)積電與三星3nm開(kāi)發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑼七t
- 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度都將放緩。此前，按臺(tái)積電公布的計(jì)劃，3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界有傳聞稱(chēng)蘋(píng)果已率先包下臺(tái)積電3nm初期產(chǎn)能，成為臺(tái)積電3nm的第一批客戶(hù)。此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的3nm工藝都會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。此前臺(tái)積電曾宣稱(chēng)，其3nm工藝會(huì)比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。臺(tái)積電20
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