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        3d-tof 文章 最新資訊

        被壟斷的NAND閃存技術

        • 各家 3D NAND 技術大比拼。
        • 關鍵字: NAND  3D NAND  

        3D 晶體管的轉變

        基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

        • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
        • 關鍵字: 3D 打印機  NXP  LPC5528  

        Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

        • 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
        • 關鍵字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

        Melexis ToF傳感器助力實現功能安全應用

        • 2023年6月21日,比利時泰森德洛——全球微電子工程公司Melexis今日宣布,Melexis擴展產品范圍,進一步鞏固其在飛行時間(ToF)技術領域的地位。最新推出的MLX75027RTI有助于汽車和工業客戶滿足功能安全要求。 MLX75027RTI是一款VGA分辨率ToF傳感器芯片,具有307k像素的空間分辨率,符合ASIL標準,適用于需要獲得ASIL或SIL認證的安全關鍵型系統。該傳感器芯片的主要應用包括動態安全氣囊抑制(確保安全氣囊不會在非必要時展開)、駕駛員注意力監測以及外部近距離Li
        • 關鍵字: Melexis  ToF  功能安全  

        有效范圍 5 米,消息稱三星將為 AR / VR 頭顯推出新型 ToF 傳感器

        • IT之家 6 月 14 日消息,消息源 Tech_Reve 在最新推文中表示,三星計劃在 VLSI 2023 研討會(6 月 11-16 日)上,展示一款針對 AR 和 VR 市場的新型 ToF 傳感器。這款傳感器支持 on-chip ISP,采用雙堆棧工藝技術制造,其上層采用 65nm BSI,下層采用 28nm CMOS。這款 ToF 傳感器的有效范圍為 5 米,測速為 60fps,且能維持 188mW 的低功耗狀態。IT之家注:Time of flight(飛行時間)。其實 ToF 是一種
        • 關鍵字: 三星  ToF  MR  

        ToF 3D圖像傳感器正在改變我們參與攝影和混合現實的方式

        • 視頻技術的問世掀起了一場席卷全球的視聽通信革命。今天,整個世界都非常依賴照片和視頻媒體來實現各種目的,包括商業、通信、教育和娛樂。采集和顯示視頻的機制也突飛猛進。而3D攝像頭的采用,使用戶可以以前所未有的信息量觀察事物。這個過程所不可或缺的一環,就是給數字視頻添加深度信息,使其更接近真實。本文探討了如何使用飛行時間(ToF)傳感器實現此目的,以及ToF傳感器正在如何改變我們與VR和其他視頻技術的交互方式。ToF 3D圖像傳感器簡介總的來說,飛行時間(或 ToF)是一種基于光的飛行時間測量物體距離的方法。T
        • 關鍵字: 英飛凌  ToF  圖像傳感器  

        DRAM迎來3D時代?

        3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

        • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
        • 關鍵字: 3D NAND  

        全新i-ToF圖像傳感器助力打造更小巧的3D攝像系統,在優化成本的同時提升量子效率

        • 英飛凌科技股份公司與 專注于3D ToF 領域的優質合作伙伴湃安德(pmd)聯合推出IRS2877C ToF VGA 傳感器的性能進階版——IRS2976C 飛行時間(ToF)VGA 傳感器。該傳感器是 REAL3? 系列產品的新成員。這款產品采用了英飛凌的新型像素技術,將像素的量子效率提升到 30% 以上,達到迄今為止只有背面照明(BSI)傳感器才能實現的水平,同時又保持了正面照明(FSI)傳感器的成本優勢。得益于此,IRS2976C 圖像傳感器成為全球首款獲得谷歌人臉識別三級認證(增強級)的 ToF
        • 關鍵字: i-ToF  圖像傳感器3D攝像系統  

        平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規則?

        • 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
        • 關鍵字: 3D DRAM  存儲器  

        外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業化

        • 據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力??紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
        • 關鍵字: 存儲  3D DRAM  

        芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

        • 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注?!?D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
        • 關鍵字: 芯和半導體榮  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳設計工具供應商獎  

        芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

        • 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注?!?D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
        • 關鍵字: 芯和半導體  3D InCites  Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎  

        支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創新

        • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
        • 關鍵字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  
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