25年來，ADI（亞德諾半導體）一直是交通運輸市場與汽車系統技術領域的高質量檢測系統先驅之一。憑借在雷達、LIDAR、慣性MEMS/IMU、攝像頭和超聲傳感器等不同子系統信號鏈的組合，形成了全方位的360°安全技術平臺，并支持傳感器融合概念。智能化的汽車意味著汽車的感知能力與信息處理能力需要極大提高，同時也意味著各種子系統的復雜度也與過往有很大的不同。ADI可為汽車主控系統提供更為精準、全面的傳感器件，并希望在傳感器端提供更好的產品、更好的服務，把更有效的數據提供給運算單元，提高效率、提高可靠性、降低系統
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ADI ToF 亞德諾半導體
· 經濟實惠的用戶存在檢測、手勢識別、“肩窺”防范非視覺總包方案，讓人機交互更順暢、信息更安全，更節能省電· 現已用于部分聯想 PC機中[1]服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了其新一代 FlightSense? 飛行時間 (ToF) 多區傳感器。該產品連同一
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意法半導體 FlightSense ToF 傳感器
近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
Metalenz與意法半導體（STMicroelectronics，ST）宣布推出VL53L8直接飛行時間（Direct Time-of-Flight，dToF）傳感器。 Metalenz與意法半導體為消費性電子設備提供世界首創光學超結構透鏡技術Metalenz的超結構光學透鏡技術是哈佛大學的技術研發成果，可以取代現有結構復雜的多鏡片鏡頭。嵌入一顆超結構光學透鏡后，來自3D傳感器模塊大廠意法半導體的飛行時間（ToF）測距模塊可以提供更多功能。Metalenz光學技術導入這些模塊，可以為眾多消費性
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ST Metalenz 光學超結構透鏡 ToF
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
3D飛行時間（3D ToF）是一種無掃描儀LIDAR（光檢測和測距，激光雷達）技術，通過發射納秒級的高功率光脈沖來捕獲相關場景的深度信息（通常是短距離內），已經廣泛應用于消費電子、工業4.0、汽車、醫療健康、安防和監控、機器人等領域。本文將為您介紹3D ToF技術的發展與ADI推出的相關解決方案。3D ToF技術可精準進行距離測量3D ToF技術是采用ToF攝像頭通過使用調制光源（例如激光）主動照亮物體，然后用對激光波長敏感的傳感器捕捉反射光，以此測量距離。傳感器測量從攝像頭發射光，到攝像頭接收到發射光之
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艾睿電子 ToF，LIDAR
服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出最新的FlightSense飛行時間（ToF）測距傳感器，適用于智能型手機鏡頭管理和擴增實境和虛擬現實裝置。透過大幅提升關鍵組件的性能，意法半導體最新ToF模塊的測距性能相較上一代產品提升一倍，室內全區模式測距長達4公尺，在相同條件下，功耗比上一代產品降低了一半。意法半導體執行副總裁暨模擬、MEMS和傳感器事業群之影像子事業部總經理Eric Aussedat表示，ST的ToF技術在商用領域獲得了傲人的
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意法半導體 飛行時間 傳感器 ToF
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
· VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機以及智能揚聲器、人機界面、消費類激光雷達和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術和性能更強、能效更高的激光源和片上處理改進技術 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(簡稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時
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意法半導體 ToF
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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