外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。

三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力。

考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。

與現(xiàn)有的DRAM市場(chǎng)不同，3D DRAM市場(chǎng)上目前還沒(méi)有絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)者，因此快速量產(chǎn)才是至關(guān)重要的。隨著ChatGPT等人工智能（AI）應(yīng)用產(chǎn)品的活躍，市場(chǎng)對(duì)高性能、大容量存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求將會(huì)增加。