3d-tof 文章進(jìn)入3d-tof技術(shù)社區(qū)

3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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充分發(fā)揮汽車 ToF 3D 成像技術(shù)的潛能

人們?cè)欢日J(rèn)為飛行時(shí)間 (ToF) 是汽車行業(yè)中一種獨(dú)特而又陌生的技術(shù)。由于缺乏汽車級(jí)傳感器，加之尚未形成一個(gè)成熟的生態(tài)系統(tǒng)，該技術(shù)成本高昂，因此未能得到廣泛應(yīng)用。ToF 傳感器本身分辨率相對(duì)較低也是一個(gè)制約因素，由于視野 (FoV) 狹窄或?qū)捯曇翱臻g分辨率不足，因此應(yīng)用十分有限。隨著更多主動(dòng)安全標(biāo)準(zhǔn)（例如 NCAP）的推出以及 L4和L5級(jí)無人駕駛汽車對(duì)更多功能的解鎖，ToF 技術(shù)迎來了新的發(fā)展勢(shì)頭，不再局限于車內(nèi)應(yīng)用。現(xiàn)在，ToF 技術(shù)已在近距離保護(hù)等外部應(yīng)用中進(jìn)行評(píng)估，因?yàn)樗粌H結(jié)合了高分辨率和近距
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
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紫光國(guó)微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國(guó)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國(guó)微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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增強(qiáng)視覺傳感器功能：3D圖像拼接算法幫助擴(kuò)大視場(chǎng)

得益于出色的深度計(jì)算和紅外(IR)成像能力，飛行時(shí)間(TOF)攝像頭在工業(yè)應(yīng)用，尤其是機(jī)器人領(lǐng)域越來越受歡迎。盡管具有這些優(yōu)勢(shì)，但光學(xué)系統(tǒng)的固有復(fù)雜性往往會(huì)約束視場(chǎng)，從而限制獨(dú)立功能。本文中討論的3D圖像拼接算法專為支持主機(jī)處理器而設(shè)計(jì)，無需云計(jì)算。該算法將來自多個(gè)TOF攝像頭的紅外和深度數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)無縫結(jié)合，生成連續(xù)的高質(zhì)量3D圖像，該圖像具有超越獨(dú)立單元的擴(kuò)大視場(chǎng)。借助拼接的3D數(shù)據(jù)，應(yīng)用先進(jìn)的深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)能夠徹底改變可視化及與3D環(huán)境的交互，深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)在移動(dòng)機(jī)器人應(yīng)用中特別有價(jià)值。
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李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車（電動(dòng)汽車電池、電機(jī)定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電OIP（開放創(chuàng)新平臺(tái)）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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3D ToF開發(fā)太耗時(shí)？快捷方案來了！

本文將討論 ToF 的基本原理，然后介紹?Broadcom?的光學(xué) ToF 評(píng)估套件，借助該套件，開發(fā)人員能夠快速進(jìn)行精確的 1D 和 3D 距離測(cè)量應(yīng)用原型設(shè)計(jì)，并可快速實(shí)現(xiàn)定制的光學(xué) ToF 感測(cè)解決方案。在從工業(yè)感測(cè)到基于手勢(shì)的用戶界面等各種應(yīng)用中，光學(xué)飛行時(shí)間 ?(ToF) 距離測(cè)量扮演著重要角色。隨著精確、高速多像素 ToF 傳感器的出現(xiàn)，開發(fā)人員可以實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用中需要的更復(fù)雜的三維 (3D) ?感測(cè)算法。然而，由于多像素光學(xué)感測(cè)子系統(tǒng)相當(dāng)復(fù)雜，開發(fā)時(shí)間會(huì)
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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