聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現已量產，并在部分?Crucial?英睿達固態硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業級存儲客戶量產，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術領域的長期領導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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美光 QLC NAND
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
近日，存儲廠商群聯公布了2024年3月份營運結果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達73%，刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長達64%，為歷史同期次高。群聯表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續緩步回升趨勢不
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群聯 SSD固態硬盤 NAND Flash
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產能利用率外，其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND
Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產效應影響，預估第二季NAND
Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
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TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業務拆分后，將保留原名，專注經營核心HDD業務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤業務任命CEO。西部數據稱，現任西部數據全球運營執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營。現任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執行長。圖片來源：西部數據西部數據與鎧俠合并進展如何？據悉，自2021年以來，西部數據及
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閃存芯片 NAND Flash 西部數據
IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元，環比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續保持上漲，預估環比會繼續增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環比增加 35%，平均銷售價格環比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
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NAND 閃存 存儲 市場分析
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
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存儲 三星 鎂光 海力士 NAND
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