- 臺積電OIP（開放創新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態系統創新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現優化的設計。臺積電OIP生態系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創新。 Dan Kochpa
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臺積電 OIP 3D IC設計
- 三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業提
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三星電子 V-NAND 車載SSD
- 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
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三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，由于Server（服務器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產品需求，2024年第二季NAND
Flash（閃存）價格持續上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導致第二季NAND
Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供應商已恢復盈利狀態，并計劃在第三季擴大產能，以滿足AI和服務器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳，
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TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
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內存 NAND Flash
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
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NAND 閃存 三星電子
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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NAND Flash
- 人工智能（AI）市場持續火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and
Storage）舉行，諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業未來發展方向。此外，大會現場，NVM Express組織在會中發布了 NVMe 2.1
規范，進一步統一存儲架構、簡化開發流程。另外包括Kioxia
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存儲 NAND TrendForce
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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NAND 閃存 泛林集團
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。IT之家注：從代際發布間隔
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SK海力士 內存 NAND
- IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
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SK海力士 內存 NAND
- IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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長江存儲 NAND 美光 內存
- NAND 閃存已經達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
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- 內存和存儲芯片制造商三星發布了其首款容量高達60TB的企業級固態硬盤（SSD），專為滿足企業用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態硬盤。對比2020年發布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
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三星 固態硬盤 V-NAND
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