- 英國質量計量設備廠商Metryx日前正式加入一項由歐洲廠商主導的半導體設備創新發展評估項目，在此合作框架下，Metryx將和Intel，IMEC等展開深入合作，為20納米節點半導體工藝開發提供高精度質量計量技術和設備。高精度質量計量技術用于監控淀積工藝和其它引起質量細微變化的工藝步驟，也可以用來監控由于高參雜注入導致光刻膠剝落而引起的硅損耗、襯底損壞等問題。
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Intel 20納米
- 英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業界體積最小、密度最高的閃存裝置。
英特爾的非揮發性內存解決方案部門的總經理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業的楷模，因為我們將會在制程技術上持續領導業界轉換至越來越微小的技術。”
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英特爾 20納米 閃存
- 近年來IBM技術陣營不斷坐大，Global Foundries與三星電子(Samsung Electronics)不僅全力爭取人才及訂單，在技術上亦加速追趕臺積電與聯電，值得注意的是，IBM陣營將于2011年1月于美國舉辦通用平臺(Common Platform)技術論壇，揭露20納米以下制程藍圖，頗有鳴鼓備戰意味。對于競爭對手節節進逼，臺積電董事長張忠謀顯得老神在在，他認為，IBM技術已不是強大競爭對手，臺積電在生產與伙伴關系上領先同業，是臺積電成功關鍵。
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IBM 20納米
- 韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產出量提高約25%。
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- 就在啟動32GB 20nm閃存生產線四個月后，三星確認目前已經啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產。
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- 全球晶圓(Global Foundries)于美東時間1日舉行成軍以來首屆全球技術論壇，會中展示28納米類比/混合訊號(AMS)生產設計流程開發套件，并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術，預計于第4季正式向客戶推出，另外也首度揭示22/20納米制程技術藍圖與時間進程，預計2013年正式進入量產。與會人士指出，全球晶圓在技術上進逼至20納米，時程上亦與臺積電甚為相近，與臺積電在先進制程較勁意味濃厚。
為因應快速成長的智能型移動裝置市場，全球晶圓在原本的28納
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全球晶圓 20納米
- 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現有的32Gb產品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20納米 NAND
- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰臺積電晶圓代工市場地位來勢洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發28納米制程，挑戰臺積電在先進制程領先優勢，然臺積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長期合約，將技術世代延續至28與20納米制程，建立更長遠合作關系，在看好ARM平臺于可攜式電子產品發展潛力，臺積電與全球晶圓雙方熱戰互不相讓。
臺積電指出，已與ARM簽訂長期合約，在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設計開發，從目前技術世代延伸到未來20納米制程，以ARM處理器為設計核心，并
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- 去年春天，臺積電與英特爾曾牽手相歡，雙方首度在處理器領域達成代工戰略合作，尤其面向移動互聯網、嵌入式市場的英特爾凌動產品。今年春天，由于客戶需求不足，雙方無奈分手，中止了合作。
昨天，不甘寂寞的臺積電再度執人之手。不過，這次不是英特爾，而是英特爾在移動互聯網市場的對手——英國ARM。
雙方表示，將在臺積電工藝平臺上擴展ARM一系列處理器以及物理IP(知識產權)模塊的開發，并從目前的技術65納米延伸到未來的20納米。而且，雙方將以ARM處理器為核心，以臺積電工藝為基礎
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- GlobalFoundries近日宣布將會開發20nm半導體制造工藝，但與臺積電不同，新工藝將與 22nm共存，而且GF認為這種半代工藝并不會消失。
臺積電不久前剛剛宣布，將跳過22nm工藝，改而直接上馬更先進的20nm工藝，采用增強型高K金屬柵極(HKMG)、應變硅、低電阻銅超低K互聯等技術，可帶來更高的柵極密度和芯片性能。在此之前，臺積電和GF還先后宣布將跳過32nm Bulk工藝，從40nm直奔28nm。
GF目前的業務主要有兩種，一是繼續為AMD制造微處理器，二是開拓新的代工業務，
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- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業率先投入到了量產。
三星電子相關負責人表示，公司同時開發20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩定性。
三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
此外，今年2月公布開發20納米制程64GB NAND閃存
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- 4月15日早間消息，據臺灣媒體報道，臺灣晶圓代工龍頭臺積電昨(14)日在美國舉行年度技術論壇，董事長張忠謀表示，今明兩年全球半導體市場均將健康成長，2011至2014年呈溫和成長，年復合成長率達4.2%。
張忠謀還稱，半導體產業需要更多合作，且早在芯片設計開始之前就要合作，才能有效降低成本，臺積電在20納米、14納米、10納米等先進制程研發中不會缺席。
由于半導體市場景氣明顯復蘇，臺積電年度技術論壇吸引將近1800名客戶或合作伙伴代表參加，而張忠謀在演說時則針對未來5年半導體市場景氣、臺積
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- TSMC于美西時間13日在美國加州圣荷西市舉行技術研討會，會中宣布將跳過22納米工藝，直接發展20納米工藝。此系基于「為客戶創造價值」而作的決定，提供客戶一個更可行的先進工藝選擇。
此次技術研討會有1,500位客戶及合作廠商代表參加，TSMC研究發展資深副總經理蔣尚義在會中表示，TSMC20納米工藝將比22納米工藝擁有更優異的閘密度(gate density)以及芯片性價比，為先進技術芯片的設計人員提供了一個可靠、更具競爭優勢的工藝平臺。此外，20納米工藝預計于2012年下半開始導入生產。
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- 據國外媒體報道，臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯手，共同為未來的DRAM生產開發先進的20納米芯片制程技術。
這 項先進的芯片制程技術有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動中說，企業要想在未來五年的DRAM市場上 保持競爭力，擁有領先技術至關重要。
采用20納米制程技術生產芯片將有助美光和南亞科技與業界領先企業三星電子展開更加有效的競爭。當前，三星已經在它的生產線上采用了30納米芯片制程技術。三星稱，使用30納米
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