海力士擬明年量產20納米NAND Flash

　　韓國半導體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產出量提高約25%。

　　海力士社長權五哲表示，自2010年8月投入量產的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當順利。2011年中計劃量產20納米制程產品。海力士持續引領DRAM產品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產品技術方面在過去1、2年落后其它競爭業者，但開始量產26納米NAND Flash之后，相信技術方面與其它先驅企業間的差距已大幅縮減。

　　海力士在30納米制程NAND Flash開發及量產上雖然較其它競爭公司晚了近6個月，但推出26納米產品后則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競爭公司在相近的時期中推出20納米產品。

　　海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產品比重約占整體產品30%，8月量產26納米產品后，第3季末產品比重已超越50%。第4季則將可望達到70%。

　　海力士2007年NAND Flash產品占有率約19%，其后市場萎縮，接連關閉NAND Flash主要產線8寸廠，2010年第1季時市占率已下滑至個位數。

　　以 12寸廠為基準，三星電子(Samsung Electronics)每月產量30萬片、日廠東芝(Toshiba)每月產量24萬片，海力士目前每月產量僅7萬片。海力士計劃年底前將產能擴大至8 萬片，但權五哲對于擴大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會綜合考量市場條件和競爭力等因素后，再進行投資。2011年投資金額目前尚未底定。

　　海力士2010年包含將DRAM生產設備轉換為NAND生產設備等，在NAND Flash領域約投資1兆韓元(約8.96億美元)。