三星電子全球率先批量生產20納米制程NAND閃存

　　據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。

　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業率先投入到了量產。

　　三星電子相關負責人表示，公司同時開發20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩定性。

　　三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。

　　此外，今年2月公布開發20納米制程64GB NAND閃存的海力士半導體，計劃于今年第三季度投入量產，英特爾和Micron合資組建的IM Flash技術有限責任公司則將于第二季度開始批量生產。