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        挑戰(zhàn)臺積電 全球晶圓首度公布20納米技術藍圖

        作者: 時間:2010-09-06 來源:DigiTimes 收藏

          (Global Foundries)于美東時間1日舉行成軍以來首屆全球技術論壇,會中展示28納米類比/混合訊號(AMS)生產設計流程開發(fā)套件,并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術,預計于第4季正式向客戶推出,另外也首度揭示22/制程技術藍圖與時間進程,預計2013年正式進入量產。與會人士指出,在技術上進逼至,時程上亦與臺積電甚為相近,與臺積電在先進制程較勁意味濃厚。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/112396.htm

          為因應快速成長的智能型移動裝置市場,在原本的28納米HP(High Performance)、28納米SLP(Super Low Power)制程外,再推出28納米HPP(High Perfoarmance Plus)。全球晶圓指出,28納米HPP制程預計于2011年第4季進入風險試產,該制程的產品效能將較目前28納米HP制程高出10%。

          相較于臺積電采用Gate-Last技術,全球晶圓的28納米制程主要采Gate-First技術,全球晶圓指出,目前28納米制程已有多家客戶通過矽晶驗證。

          在技術論壇中,全球晶圓也公布28納米類比/混合訊號(AMS)生產設計流程開發(fā)套件。全球晶圓已經和Cadence達成合作,在2010的第3季共同推出AMS生產設計流程的主要元素,至于完整的生產級AMS流程預計在2010年第4季向客戶推出,芯片驗證則計畫在2011年初。

          全球晶圓成軍以來,首度舉辦全球技術論壇,因此也備受外界矚目,尤其在先進制程上的進展,更是焦點之一。不過與會人士指出,本次全球晶圓技術論壇并沒有太大的驚喜,關于產能與技術藍圖與6月時在臺灣記者會中公布的相去不遠,顯示該公司照計畫運行順利,然而特別的一點是,首次加入全球晶圓的技術藍圖之中,而在28納米與22/20納米量產的時間點,都與臺積電近乎雷同,顯示兩家公司在先進制程上競爭激烈。

          據(jù)了解,臺積電最快將于年底前量產28納米制程,除HP與LP制程外,亦有與賽靈思(Xilinx)合作開發(fā)的HPL(High Performance Low Power)制程。

          全球晶圓指出,22/20納米將會于2012年下半進行試產,并于2013年正式進入量產。其中,20納米制程將會提供HP(High Performance)與SLP(Super Low Power)兩種制程,其中HP制程主要應用于有線裝置,SLP制程則要用于移動式裝置應用。

          在次世代微影技術方面,相較于臺積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進,全球晶圓壓寶EUV陣營,預計首臺EUV機臺將于2012年下半進廠,并于2014~2015年間量產。



        關鍵詞: 全球晶圓 20納米

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