英特爾稱其20納米閃存技術領先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業界體積最小、密度最高的閃存裝置。

　　英特爾的非揮發性內存解決方案部門的總經理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業的楷模，因為我們將會在制程技術上持續領導業界轉換至越來越微小的技術。”

　　20納米制程是以原來的25納米制程為基礎而加以改善，兩家公司去年八月所生產的8GB裝置即是使用25納米制程。英特爾表示，在此之前，兩家公司還共同開發了采用34納米制程的MLC儲存技術。英特爾與美光預期會在今年下半年開始大量生產采用此一新技術的8GB MLC裝置，屆時希望也能夠展出16GB的樣本裝置。

　　Nand閃存技術的主導廠商三星公司在2010年4月時發表了自己的20納米節點Nand閃存技術，但是根據該公司的生產方式定義的不同，它的制程可能會介于20至29納米之間。

　　英特爾認為它的制程比三星的更加先進。

　　“大部分的分析師表示三星的20納米制程實際上比較接近27納米。這意味著25納米的MLC是2010年最精細的Nand生產制程，并且制造出去年業界最小的64GB MLC Nand晶粒與64GB TBC Nand晶粒”，英特爾EMEA的技術發言人Markus Weingartner指出，“我們將會在2011年延續技術上的領先并打造出真正的20納米Nand制程，并再度生產出業界最小、只有118mm的64GB MLC Nand晶粒。”

　　三星目前并未對以上說法做出響應。

　　今年一月時，IBM與三星宣布了一項研究合作，兩家公司將會協力開發20奈米以下的半導體材料與制程技術。四月時，Toshiba宣布已經開發出使用24納米制程來生產的Nand閃存，并且具有內嵌的控制來執行錯誤修正碼功能。