安森美加速碳化硅創新，助力推進電氣化轉型

新聞要點

●   最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%

●   該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗

●   與安森美(onsemi) 智能電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優化的系統方案并縮短產品上市時間

●   安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產品      

面對不斷升級的氣候危機和急劇增長的全球能源需求，世界各地的政府和企業都在為宏大的氣候目標而攜手努力，致力于減輕環境影響，實現可持續未來。其中的關鍵在于推進電氣化轉型以減少碳排放，并積極利用可再生能源。為加速達成這個全球轉型目標，安森美近日推出了最新一代碳化硅技術平臺 EliteSiC M3e MOSFET，并計劃將在 2030 年前推出多代新產品。

安森美電源方案事業群總裁Simon Keeton表示：“電氣化的未來依賴于先進的功率半導體，而電源創新對于實現全球電氣化和阻止氣候變化至關重要。如果電源技術沒有重大創新，現有的基礎設施將無法滿足全球日益增長的智能化和電氣化出行需求。我們正在積極推動技術創新，計劃到 2030 年大幅提升碳化硅技術的功率密度，以滿足日益增長的能源需求，并助力全球電氣化轉型。”

在這一過程中，EliteSiC M3e MOSFET 將發揮關鍵作用，以更低的千瓦成本實現下一代電氣系統的性能和可靠性，從而加速普及電氣化并強化實施效果。由于能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，該平臺可有效降低電源轉換損耗，這對于電動汽車動力系統、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業應用至關重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進數據中心向更高效、更高功率轉變，以滿足可持續人工智能引擎指數級增長的能源需求。

可信賴平臺實現效率代際飛躍

憑借安森美獨特的設計和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且經過實際驗證的平面架構上顯著降低了導通損耗和開關損耗。與前幾代產品相比，該平臺能夠將導通損耗降低 30%，并將關斷損耗降低多達 50%^[1]。通過延長 SiC 平面 MOSFET 的壽命并利用 EliteSiC M3e 技術實現出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固性和穩定性，使其成為關鍵電氣化應用的首選技術。

EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導通電阻 (RSP) 和抗短路能力，這對于占據 SiC 市場主導地位的主驅逆變器應用來說至關重要。采用安森美先進的分立和功率模塊封裝，1200V M3e 裸片與之前的 EliteSiC 技術相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約 20%。換句話說，在保持輸出功率不變的情況下，新設計所需的 SiC 材料可以減少 20%，成本更低，并且能夠實現更小、更輕、更可靠的系統設計。

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術，包括柵極驅動器、DC-DC 轉換器、電子保險絲等，并均可與 EliteSiC M3e 平臺配合使用。通過這些安森美優化和協同設計的功率開關、驅動器和控制器的端到端一體化技術組合，可實現多項先進特性集成，并降低整體系統成本。

加速未來電源技術發展

未來十年，全球能源需求預計會急劇增加，因此提高半導體的功率密度變得至關重要。安森美正積極遵循其碳化硅技術發展藍圖，從裸片架構到新型封裝技術全面引領行業創新，以此持續滿足行業對更高功率密度的需求。

每一代新的碳化硅技術都會優化單元結構，以在更小的面積上高效傳輸更大的電流，從而提高功率密度。結合公司自有的先進封裝技術，安森美能最大化提升性能并減小封裝尺寸。通過將摩爾定律引入碳化硅技術的開發，安森美可以并行研發多代產品，從而加速實現其發展路線圖，以在 2030 年前加速推出多款 EliteSiC 新產品。

“憑借數十年來在功率半導體領域積累的深厚經驗，我們不斷突破工程和制造能力的邊界，以滿足全球日益增長的能源需求。“安森美電源方案事業群技術營銷高級總監 Mrinal Das 表示，”碳化硅的材料、器件和封裝技術之間存在很強的相互依賴性。對這些關鍵環節的完全掌控，使安森美能夠更好地把握設計和制造過程，從而更快地推出新一代產品。”

EliteSiC M3e MOSFET 采用行業標準的 TO-247-4L 封裝，樣品現已上市。

[1] 基于內部與EliteSiC M3T MOSFET的對比測試