ST：2025年碳化硅將全面升級為8英寸

6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。

意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸。”

隨著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。

意法半導體計劃明年第三季度在意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠過渡到8英寸，隨后在新加坡的晶圓廠也將過渡到8英寸。與三安光電合資的中國工廠預計將于同年第四季度開始生產8英寸SiC晶圓。

目前，SiC功率半導體供不應求，價格居高不下，但預計這種情況將趨于穩定。

Muzeri說：“現在銷售的產品是來自兩年多前的訂單，價格很高，但2027年之后的報價比現在的低15~20%，SiC半導體已經在一定程度上定價了。”

至于對全球電動汽車市場增長停滯的擔憂，他表示沒有大的影響。他說，歐洲、美國和韓國等一些增長最快的國家增長放緩，暫時降低了需求，但并未造成半導體需求的大幅下降。

Muzeri表示：“汽車生產用半導體的數量有所增加，對SiC功率半導體的需求仍然強勁。就電動汽車而言，使用SiC功率半導體時，行駛里程可以增加18~20%，預計未來汽車的采用率將從目前的15%提高到60%。”