晶圓 文章 最新資訊
強震：晶圓、面板廠影響有限
- 中臺灣地牛翻身，中科及南科園區(qū)因為離震央較近，震度介于4～5級間，因此在兩地設(shè)廠的臺積電、聯(lián)電、友達(dá)、群創(chuàng)、瑞晶、華邦電等業(yè)者均受波及，而竹科同樣受到地震影響，晶圓雙雄及面板雙虎在竹科廠房也受影響。不過，業(yè)者均表示，生產(chǎn)線只有部份機(jī)臺死機(jī)或少量破片，影響十分有限;而竹科及南科管理局則表示，供水供電均正常，并未接獲廠商任何重大損害通報。 根據(jù)中央氣象局資料，昨日下午13時43分發(fā)生里氏規(guī)模6.3級地震，震央在南投縣政府東方32公里，其中，新竹市震度3級，臺中市震度4級，臺南市震度達(dá)5級，最接近震央
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聯(lián)電打造新加坡12寸廠成為特殊技術(shù)研發(fā)中心
- 晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領(lǐng)先進(jìn)特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術(shù)中心設(shè)立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子研究院等新加坡本地研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行研發(fā)合作。 聯(lián)電將已開發(fā)之技術(shù)包含背照式影像感測器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體、高壓應(yīng)用產(chǎn)品，以及直通矽晶穿孔連結(jié)等，應(yīng)用于車用、行動、智慧型手機(jī)與平板電腦等日益龐大的產(chǎn)品市場，并藉此特殊技術(shù)，協(xié)助客戶提供受益于日漸增加之日常
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散熱技術(shù)突破 無封裝LED將現(xiàn)身
- 除了從系統(tǒng)角度強化散熱性能外，隨著LED照明的應(yīng)用普及，對于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛，LED基板材料及技術(shù)在近年的開發(fā)也有所進(jìn)展，目前最新的趨勢是對于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)。基本上，由于藍(lán)寶石基板面臨技術(shù)瓶頸，LED廠商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數(shù)，不僅能強化LED發(fā)光強度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現(xiàn)，因此成為了業(yè)界爭相發(fā)展的新技術(shù)。 例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開發(fā)出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十
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第一季全球半導(dǎo)體廠商排行榜 日本業(yè)者落漆
- 市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的2013年第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜顯示，有數(shù)家日本半導(dǎo)體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五，瑞薩(Renesas)因銷售額下滑20%而跌出前十名，索尼(Sony)退步三名成為第十六、當(dāng)季銷售額較去年同期下滑31%，富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷售額下滑26%。 不過IC Insights指出，日本半導(dǎo)體廠商的銷售額數(shù)字都是由日圓換算成美元;在2012年第一季時，美元兌日圓匯率為1美
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沖刺28nm/FinFET研發(fā) 晶圓廠資本支出創(chuàng)新高
- 為爭搶先進(jìn)制程商機(jī)大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴(kuò)大資本設(shè)備支出，持續(xù)擴(kuò)充28奈米制程產(chǎn)能;與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術(shù)研發(fā)刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術(shù)投資，將驅(qū)動整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)支出向上飆升。 2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將強勁反彈，一掃去年下滑的陰霾。其中，尤以晶圓代工廠擴(kuò)大設(shè)備資本支出(CAPEX)，加速推動先進(jìn)制程，為拉升半導(dǎo)體產(chǎn)值挹注最大貢獻(xiàn)。 由于今年全球經(jīng)濟(jì)狀況相對去年樂觀，且行動裝置處理器業(yè)者轉(zhuǎn)換至28、20奈米(nm)先進(jìn)制程的需求涌現(xiàn)
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臺積電砸逾15億美元搶人才與制程開發(fā)
- 臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日在新竹舉辦技術(shù)論壇;并釋出訊息，隨董事長張忠謀法說時宣布今年資本支出為95至100億美元，投入15億美元(折現(xiàn)約新臺幣441.06億元)用于研發(fā)人員與將投入邏輯先進(jìn)制程及成熟制程開發(fā)。該公司研發(fā)大軍目標(biāo)今年增加至4200人。 臺積電4月18日法說時已由董事長張忠謀正式調(diào)高今年資本支出為95至100億美元，當(dāng)中，研發(fā)投資金額將達(dá)15億美元，年增逾1成;該公司預(yù)計投入研發(fā)的科學(xué)家和工程師也將隨之增加至4200人。 同時，臺積電隨客戶需求持續(xù)提高
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英飛凌與格羅方德共同開發(fā)40nm嵌入式Flash制程
- 英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術(shù)。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設(shè)計為基礎(chǔ)的技術(shù)開發(fā)，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據(jù)點生產(chǎn)，初期于新加坡，后續(xù)則將轉(zhuǎn)移到位于德國德勒斯登的廠房。 英飛凌董事會成員 Arunjai Mittal 表示：「採用 40nm 製程結(jié)構(gòu)的
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Gartner：去年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出減少16%
- 根據(jù)國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布的最終統(tǒng)計結(jié)果，2012年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出總額為378億美元，較2011年減少16.1%。晶圓級制造受到微影(lithography)與沈積(deposition)領(lǐng)域疲弱的影響，在2012年表現(xiàn)低于整體市場。在主要領(lǐng)域中，亦即主要受到邏輯制造影響的領(lǐng)域，以28/20奈米制程和良率改善的表現(xiàn)較佳。 Gartner副總裁Klaus-DieterRinnen表示：「DRAM長期供過于求以及轉(zhuǎn)進(jìn)NAND之后又造成供過于求，導(dǎo)致產(chǎn)能需求下降。記憶體制造相關(guān)的
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超越臺積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓
- 晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。 格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶經(jīng)驗，ICInsights統(tǒng)計，2012年公司躍進(jìn)晶
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450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨
- 全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也進(jìn)展順利，將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。 ASML在一份聲明中稱：“在客戶合作投資項目的支持下，我們已經(jīng)完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構(gòu)的概念設(shè)計，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產(chǎn)，當(dāng)然如果整個產(chǎn)業(yè)來得及的話。” Int
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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