新聞中心

        EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > 450毫米晶圓2018年量產 極紫外光刻緊隨

        450毫米晶圓2018年量產 極紫外光刻緊隨

        作者: 時間:2013-04-24 來源:mydrivers 收藏

          全球最大的制造設備供應商荷蘭今天披露說,他們將按計劃在2015年提供450毫米制造設備的原型,Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現450毫米的商業性量產,與此同時,極紫外(EUV)光刻設備也進展順利,將在今年交付兩套新的系統。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/144581.htm

          在一份聲明中稱:“在客戶合作投資項目的支持下,我們已經完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計,將在2015年交貨原型,并兼容2018年的量產,當然如果整個產業來得及的話。”

          Intel在今年初展示了全球第一塊完整印刷的450毫米,跨過了里程碑式的一步,并隨后宣布將投資20億美元對俄勒岡州D1XFab工廠進行擴建,預計2015年可建成并安裝450毫米晶圓生產設備。

          歷史上每次擴大晶圓尺寸都會將可用面積增加30-40%,芯片成本也有相應的降低,300毫米過渡到450毫米同樣如此,所以為了使用更先進的制造工藝和極紫外光刻技術,450毫米晶圓勢在必行,但隨著尺寸的增大,晶圓制造的難度也是指數級增長,因此450毫米晶圓提了很多年了,但至今仍然沒能投入實用。

          (再次強調晶圓上那是右側人的投影不是缺一塊)

          的首批兩套NXE:3300B極紫外光刻系統將在今年第二、第三季度出貨并安裝,用于驗證極紫外光刻技術的可行性,為大規模制造做好準備。

          ASMLNXE:3300B系統已經斬獲了11個訂單,還有7個也保證采納。該系統已經做到單次曝光13nm,并且有能力達到9nm,為工藝進軍個位數納米時代打下了基礎。

          NXE:3300B系統在半年前的源功率只有11W,每小時最多產出7塊晶圓,三個月前提高到40W,如今已經可以做到55W,每小時產出43塊晶圓,而最終目標是105W、69塊。

          在此之前,Intel、臺積電、三星電子曾經分別向ASML投資多達41億美元、14億美元、9.7億美元,共同推進其加速研發450毫米晶圓和極紫外光刻技術,受到刺激的ASML隨后耗資25億美元收購了關鍵的光學技術提供商Cymer,加快極紫外光刻進展。



        關鍵詞: ASML 半導體 晶圓

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 中牟县| 友谊县| 威海市| 全州县| 从江县| 固安县| 池州市| 浙江省| 邢台县| 邯郸县| 调兵山市| 黄山市| 新化县| 肇庆市| 博罗县| 喜德县| 沂南县| 漳浦县| 化隆| 鹤庆县| 周宁县| 永吉县| 天全县| 固始县| 阳泉市| 衡南县| 抚远县| 宣威市| 宁阳县| 永仁县| 丁青县| 原平市| 巴中市| 黄大仙区| 剑阁县| 谷城县| 道孚县| 绍兴市| 陆丰市| 南岸区| 雷山县|