散熱技術突破 無封裝LED將現身

　　除了從系統角度強化散熱性能外，隨著LED照明的應用普及，對于散熱基板的要求日趨嚴苛，LED基板材料及技術在近年的開發也有所進展，目前最新的趨勢是對于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發。基本上，由于藍寶石基板面臨技術瓶頸，LED廠商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數，不僅能強化LED發光強度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現，因此成為了業界爭相發展的新技術。

　　例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開發出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十月在日本加賀市(Kaga)的8英寸晶圓廠實現量產。東芝與普瑞光電是自2012年1月起開始合作，結合普瑞的長晶和LED芯片結構，以及東芝先進的硅制造工藝，雙方成功開發出最大光輸出達到614毫瓦的LED芯片，尺寸僅1.1平方毫米，最大光輸出量達到614毫瓦。東芝企業副總裁暨半導體和儲存產品子公司執行副總裁MakotoHideshima表示，在東芝與普瑞光電的緊密合作下，8英寸硅基氮化鎵LED已達到最佳效能。

　　此外，中國大陸廠商晶能光電(江西)有限公司也已量產硅基氮化鎵LED芯片，其操作電流為350毫安，發光效率已達每瓦120流明，主要鎖定室內外和便攜式照明應用，并已有二十多家客戶開始導入設計，該公司將于今年由6英寸晶圓導入8英寸晶圓制造。另據悉，歐司朗光電半導體、飛利浦照明、韓國三星集團等都已積極投入到硅基氮化鎵LED的開發生產中。