據半國際半導體產能統計(Sicas)組織，第三季度晶圓代工廠商初制晶圓產量分別比第二季度和2006年同期增長13.3%和19.1%。
晶圓代工廠商的產能迅速上升，比第二季度提高11.4%，達到每周33.5萬個8英寸等效晶圓，但需求的增長速度更快。初始晶圓實際產量比第二季度增長13.3%，達到每周31.5萬個。
Sicas表示，第三季度晶圓代工廠商的產能利用率上升到94.2%，高于第二季度的92.7%和2006年第三季度的91.5%。晶圓代工廠商和IDM廠商生產的總體IC初始晶圓，第三季度比
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2007年，全球半導體行業總體表現低于預期，晶圓代工業更加表現出強者恒強、競爭激烈的特征。在這樣的大環境下，晶圓代工企業如何確保持續增長，如何增強競爭實力?目前，中國內地的很多晶圓代工企業在提升現有工藝技術的同時，也積極研發新的模擬或嵌入式等工藝，來滿足客戶的需求。
出奇制勝，站穩細分市場
當前的集成電路市場，如果以應用來區分主要可分成4大類，即計算機、通信、消費電子及汽車電子，也就是通常所說的4C。Intel憑借其在CPU領域的絕對優勢長期以來占據集成電路產業領頭羊地位，而三星、TI等公
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國際半導體設備材料產業協會(SEMI)總裁暨執行長梅耶(Stanley T. Myers)十一日表示，全球十二寸晶圓產出今年將再比去年成長百分之五十九，明年成長率也有百分之二十九。其中，臺灣將于明年首度超越韓國，成為十二寸晶圓產能最大的產地，分析師認為，島內日月光、硅品、力成、京元電等后段封測廠將受惠最大。 據臺灣《經濟日報》報道，“SEMICON Taiwan 二〇〇七臺灣半導體設備暨材料展”十二日起在臺北世貿一館及三館一連舉行三天，今年計有超過七
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研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產能將在2008年首次超過DRAM內存。
根據SMA報告，閃存產能從2000年以來已經增長了四倍，達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規模。相比之下，DRAM產能自那時起僅增長225%。
報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產能是之前四年增加量的六倍。
預計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預計，當設備裝機完成時，將帶來每月相當于150萬片2
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IC行業制造商和材料提供商最近表達了可能把IC制造從300mm晶圓制造轉為450mm晶圓制造方面的看法。
需求方
有些公司認為這種轉變不會發生。據市場調研公司ICInsights對這種看法持強烈的反對意見。雖然轉向450mm的晶圓生產不是馬上就要到來，ICInsights公司認為這只是到來的時間問題，而不是是否會到來的問題。IC設備商和材料提供商可能非常不愿意進行450mm晶圓產品的生產，但是生產450mm產品是個必然的方向.。
對是否進行450mm晶圓制造的爭論的一個焦點就是，45
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英商康橋半導體宣布，與全球最大的創投基金之一完成C輪創業投資交易，今年內將溢注2,600萬美金(1,300萬英鎊)至這個歐洲無晶圓廠半導體公司中。
這一次的C輪資金募集，是由3i與現有股東Scottish Equity Partners(簡稱SEP)及TTP Venture所領導，邀請Carbon Trust成為新的投資者。Carbon Trust本次的投資，取得相當于英商康橋半導體400萬美金的普通股股權-這也是該公司第一次將投資專注于提升消費性電子產品的能源效率。
新資金將支持英商康橋
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繼整合組件廠(IDM)改走Fab-lite路線，晶圓代工廠亦開始刮起「Capex-Lite」風!臺積電甫宣示將大砍2008年資本支出，聯電亦表達2008年資本支出顯著減少，外界預估2家資本支出減幅都將高達2~3成。值得注意的是，聯電董事長胡國強31日指出，先進工藝已出現越代(skipping-node)現象，跳過1個世代，等新一代產品問世再采購，然這形成對先進工藝的觀望;如果供給面遵循摩爾定律，但需求面卻沒有每年同步增加40%，市場對于晶圓需求當然會減少。
由于油價高漲、次級房貸陰影未解除、消費
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關于可能向450毫米晶圓轉移的辯論已經達到了白熱化，半導體設備廠商與一些IC制造商—特別是英特爾公司之間的分歧進一步加劇。
在Sematech此間舉行的一次活動期間，在半導體設備和材料國際的聯合生產率工作組召集的閉門會議中，IC設備公司表示了對芯片聯盟的有爭議的450毫米晶圓計劃的新的擔憂。晶圓切割供應商稱，該努力是有缺陷和被誤導的，并爭論說，向下一代晶圓尺寸轉移所帶來的成本好處微乎其微或根本沒有。
Sematech聲稱，通過向300到450毫米晶圓轉移，IC行業能夠隨著時間的推移把每塊晶
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繼整合組件廠(IDM)改走Fab-lite路線，晶圓代工廠亦開始刮起「Capex-Lite」風!臺積電甫宣示將大砍2008年資本支出，聯電亦表達2008年資本支出顯著減少，外界預估2家資本支出減幅都將高達2~3成。值得注意的是，聯電董事長胡國強31日指出，先進工藝已出現越代 (skipping-node) 現象，跳過1個世代，等新一代產品問世再采購，然這形成對先進工藝的觀望;如果供給面遵循摩爾定律，但需求面卻沒有每年同步增加40%，市場對于晶圓需求當然會減少。
由于油價高漲、次級房貸陰影未解除、
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在美國德克薩斯州舉行的第四屆國際半導體技術制造協會(ISMI)座談會上，AMD制造業務高級副總裁DouglasGrose提出，AMD并不急于把晶圓尺寸從300mm擴大到450mm，而是要充分提高現有生產線的效率，打造“下一代晶圓生產廠”(NGF)。
在與會的集成電路生產商、原材料供應商、相關工具銷售商和業界分析人士面前，Grose表示半導體的開發、生產和運輸都需要更智能的方式;在轉入450mm晶圓之前，AMD的主要任務是挖掘現有300mm技術的潛力，并與業界伙伴合作，開發新的工具和工藝，讓晶圓生
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10月24日，對Spansion和中芯國際來講都是一個重要的日子。Spansion公司宣布，為加強對中國市場的關注力度，Spansion已與中芯國際集成電路制造有限公司（中芯國際）展開合作，將向中芯國際轉讓65納米MirrorBit 技術，用于其在中國的300毫米晶圓代工服務。 中芯國際與Spansion還簽署了一項初步諒解備忘錄，將授權中芯國際為中國的與內容發布相關的產品應用市場制造和銷售90納米、65納米以及將來的Spansion M
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雖然說AMD已經按部就班推進自己的45nm制程事業，但是眼看11月11日，Intel投資的三個45nm制造廠的第一批產品已經準備就緒要上市了，加上財報發布的巨大落差，AMD的好消息似乎沒幾個呢。
不過今天ASML公司的季度電話會議上一些有趣的信息看來是AMD的好消息——包括通不同的芯片生產商采用的沉浸光刻技術制程更迭周期，間接透露了AMD將在2009年開始使用更好的沉浸濕法光刻設備來制造45nm的芯片。
ASML是一家為全球半導體廠商提供晶圓工廠制造設備的廠商，ASML首席分析師EricM
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隨著北美9月半導體設備訂單出貨比(B/BRatio)0.81再創2007年來新低，以及上周末美股重挫，使得與美股關聯性極高的臺股、特別是半導體指標股本周走勢備受各界關注，尤其緊接著臺積電、聯電財務報告，外界預料恐將釋出第4季度增長率較第3季度趨緩訊息，以及市場對晶圓雙雄先進工藝價格下滑，導致毛利率難回高檔存疑慮，加上本周五聯電和艦案將宣判，市場籠罩觀望氣氛，為財務報告會前半導體景氣捎來陣陣寒意。
臺積電、聯電本周均將面臨關鍵性一役，對于臺積電而言，目前市場充滿多空論調交戰，就連外傳臺積電擬縮減2
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從國外媒體處獲悉：半導體市場研究公司SEMISiliconManufacturersGroup日前發布預測報告說，全球半導體晶圓制造業在今年增速放緩之后，明年有望反彈。 該機構指出，去年，全球晶圓產業增長了20%，不過，今年的增幅預計將只有9%。今年全球芯片產業的增幅也將放緩。 該機構說，到明年，晶圓制造業的增速將提高到12%，2009年的增速預計為6%，2010年也是6%。
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從國外媒體處獲悉：半導體市場研究公司SEMI Silicon Manufacturers Group日前發布預測報告說，全球半導體晶圓制造業在今年增速放緩之后，明年有望反彈。 該機構指出，去年，全球晶圓產業增長了20%，不過，今年的增幅預計將只有9%。今年全球芯片產業的增幅也將放緩。 該機構說，到明年，晶圓制造業的增速將提高到12%，2009年的增速預計為6%，2010年也是6%。 該公司的調查發現，今年，全球晶圓交貨量達到了87億平方英寸，明年交付量為97億，2009年預計為103億，2
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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