存儲(chǔ)器文章最新資訊

DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對(duì)后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測(cè)試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測(cè)廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測(cè)廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月營(yíng)收應(yīng)可處于歷史高檔水平。　　受惠于2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強(qiáng)勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測(cè)試部分，卡在測(cè)試機(jī)臺(tái)供應(yīng)不及，測(cè)試產(chǎn)能不足
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM DDR3

TIMC停擺傳言滿天飛　臺(tái)面下耳語連連

　　臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥今日將會(huì)見DRAM相關(guān)業(yè)者，業(yè)者最期待經(jīng)濟(jì)部如何處理臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)的問題。雖然再造方案面臨停擺，但市場(chǎng)風(fēng)風(fēng)雨雨的傳言卻從未停歇，包括之前傳出TIMC可能會(huì)藉瑞晶的殼，執(zhí)行B計(jì)畫來大復(fù)活，導(dǎo)致力晶堅(jiān)持要買回瑞晶股份來提防;再者，TIMC員工并入瑞晶，在新竹辦公室更傳出清算的動(dòng)作，更被解讀為掩護(hù)TIMC地下化的假動(dòng)作，然這一切傳言，可望在施顏祥對(duì)外說明后，正式告一段落。　　「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點(diǎn)，尤其在立法院堅(jiān)持杯葛國(guó)發(fā)基金
關(guān)鍵字： TIMC DRAM 存儲(chǔ)器

ST推出雙接口EEPROM，實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備參數(shù)無線存取

　　意法半導(dǎo)體今天宣布一全新射頻EEPROM芯片系列的首款產(chǎn)品M24LR64樣片正式上市。新產(chǎn)品能夠讓客戶在供應(yīng)鏈中任何環(huán)節(jié)、產(chǎn)品生命周期的任何時(shí)間靈活地?zé)o線設(shè)置或更新電子產(chǎn)品參數(shù)，設(shè)備制造商無需連接編程器，甚至無需打開產(chǎn)品包裝，即可更新產(chǎn)品參數(shù)，設(shè)置軟件代號(hào)或激活軟件。這個(gè)創(chuàng)新的存取方法不僅能使設(shè)備廠商為產(chǎn)品增加新功能，同時(shí)還能降低制造成本，簡(jiǎn)化庫存管理流程，快速應(yīng)對(duì)瞬息萬變的市場(chǎng)需求。　　M24LR64是一款內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)I2C串口的EEPROM存儲(chǔ)器，可與大多數(shù)微控制器或ASIC芯片通信，此外，還提供
關(guān)鍵字： ST 射頻 M24LR64 存儲(chǔ)器

經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇

　　目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在復(fù)蘇，各國(guó)推出的大規(guī)模經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃使平板電視和智能手機(jī)需求大增，市場(chǎng)價(jià)格快速回升，半導(dǎo)體企業(yè)整體業(yè)績(jī)也大幅改觀。　　除了各國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃外，企業(yè)也通過大規(guī)模減產(chǎn)和工廠重組來減少供應(yīng)，2009年上半年半導(dǎo)體市場(chǎng)開始逐漸復(fù)蘇。2010年1月，容量為1G的電腦存儲(chǔ)器價(jià)格平均每個(gè)2.45美元，比2008年12月時(shí)的最低價(jià)格高出近4倍;USB閃存也達(dá)到每個(gè)2美元，漲了近1倍。　　排名全球半導(dǎo)體行業(yè)第三的東芝2009年第三財(cái)季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利47億日元，與2008年虧損1174
關(guān)鍵字：英特爾半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

基于FLASH星載存儲(chǔ)器的高效管理研究

NAND FLASH開始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概念對(duì)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)進(jìn)行管理,制定了針
關(guān)鍵字： FLASH 星載存儲(chǔ)器

全球存儲(chǔ)器短缺的三個(gè)理由

　　2010年全球存儲(chǔ)器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨，而且非常可能會(huì)延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因，1)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇;2)，前幾年中存儲(chǔ)器投資不足;3)，由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長(zhǎng)。　　巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報(bào)告中指出，通過存儲(chǔ)器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證，認(rèn)為目前存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。　　據(jù)它的報(bào)告稱，2010年全球NAND閃存的位增長(zhǎng)可達(dá)70%，而2009增長(zhǎng)為41%。2010年全球DRAM的位增長(zhǎng)達(dá)52%。　　Luke認(rèn)為
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND 光刻機(jī)

三星：12寸廠到2015年將不符經(jīng)濟(jì)效益

　　三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲(chǔ)器技術(shù)的明日之星，而現(xiàn)在位居主流地位的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)到2015年將不符合經(jīng)濟(jì)效益，屆時(shí)將迎接18寸晶圓廠時(shí)代來臨。　　三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國(guó)際半導(dǎo)體展時(shí)指出，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，亞洲地
關(guān)鍵字： Samsung 晶圓存儲(chǔ)器

2010請(qǐng)帶著希望上路

　　對(duì)于整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)來說，2009是個(gè)幸福缺失的年份，不管我們?nèi)绾瓮春捱@一場(chǎng)金融風(fēng)暴帶來的腥風(fēng)血雨，至少我們已經(jīng)撕去了屬于2009年最后一頁日歷，迎來了嶄新年輪的開始。既然最黑暗的時(shí)刻都已經(jīng)挺過來了，未來總會(huì)比現(xiàn)在光明些吧。　　從2008年四季度開始的這場(chǎng)金融風(fēng)暴，在重創(chuàng)了全球經(jīng)濟(jì)的同時(shí)，不可避免地將整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平拉回了2001年。經(jīng)歷過2008年的全行業(yè)深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀中到來的2009堪稱整個(gè)產(chǎn)業(yè)驚心動(dòng)魄的一年，多家分析機(jī)構(gòu)不斷下調(diào)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)期，最可怕的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)整
關(guān)鍵字：邏輯電路微處理器存儲(chǔ)器摩爾定律 201001

世界半導(dǎo)體市場(chǎng)回顧與展望

　　歲末年初，又到了總結(jié)與展望之時(shí)，綜合業(yè)界的信息得知：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年陷入困境幸而回穩(wěn)，而2010年將重新步入快速發(fā)展之路，這一觀點(diǎn)已成共識(shí)。　　變數(shù)多多的2009年　　2009年的世界半導(dǎo)體市場(chǎng)變化真是光怪陸離、變幻莫測(cè)，為筆者所首見。　　回望一年來公布的數(shù)據(jù)，連連更迭，令人無所適從。例如，為業(yè)界推崇的WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì))2008年11月所作的秋季預(yù)測(cè)，認(rèn)為2009年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅略降2.8%，可到2009年6月的春季預(yù)測(cè)，時(shí)隔半年便來了個(gè)大跳水，驟然劇降21.
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 MPU 存儲(chǔ)器 201001

滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路

滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關(guān)鍵字：德州儀器 LDO 應(yīng)用電路要求存儲(chǔ)器 StrataFlash 嵌入式滿足

用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲(chǔ)器控制器

由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對(duì)更高的速度和性能，設(shè)計(jì)人員對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢(shì)。這些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。
關(guān)鍵字： FPGA DDR3 存儲(chǔ)器控制器

DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
關(guān)鍵字：海力士 DRAM 存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫金士頓海力士緊密合作

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NANDFlash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NANDFlash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NANDFlash三哥寶座，并防止三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Tosh
關(guān)鍵字：海力士存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器大廠Micron與澳大利亞公司組成太陽能合資公司

　　存儲(chǔ)器大廠Micron以50：50比例與澳大利亞Origin Energy公司組成合資的光伏技術(shù)公司。　　至此關(guān)于合資公司的細(xì)節(jié)未能透露。2009年5月Micron曾準(zhǔn)備化500萬美元來促進(jìn)LED Solar方面的嘗試。　　該項(xiàng)目執(zhí)行總經(jīng)理Andrew Stock表示將利用Micron在存儲(chǔ)器方面的實(shí)力來推動(dòng)光伏發(fā)展及市場(chǎng)化。　　Origin Energy是澳大利亞領(lǐng)先的集成能源公司，工作范圍涉及天然氣,石油開釆與生產(chǎn)、發(fā)電及能源行業(yè)。該公司列于澳大利亞股票市場(chǎng)ASX的前20位，有近400
關(guān)鍵字： Micron 存儲(chǔ)器

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM

共1633條 57/109 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]