三星：12寸廠到2015年將不符經濟效益

　　三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導體市場成長最快的是亞洲地區，消化全球70%芯片產出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲器技術的明日之星，而現在位居主流地位的12寸晶圓廠，預計到2015年將不符合經濟效益，屆時將迎接18寸晶圓廠時代來臨。

　　三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國際半導體展時指出，在全球半導體市場中，亞洲地區成長最快，預計在2011年底前會消化全球70%芯片產出。他同時認為，包括PRAM (Phase change memory)、OXRAM (Oxide-based memory)、STT-MRAM (Electro-resistant magneto-tunnel affect)等新興技術，將成為存儲器技術的明日之星，預計現在居主流地位的12寸晶圓廠，到2015年便將不符合經濟效益。

　　事實上，全球半導體產業景氣逐漸回春，臺積電和聯電分別提高2010年資本支出至48億及12億~15億美元，其中，大部分都是用于擴充12寸晶圓廠，晶圓雙雄 2010年資本支出皆超過金融海嘯前2008年的水平;三星電子2010年半導體資本支出則約8.5兆韓元(約73億美元)，較2008年60億美元成長逾20%。

　　在臺灣DRAM產業方面，以臺塑集團旗下南亞科和華亞科2010年資本支出規模最為可觀，2家合計將支出達新臺幣720億元。以整個臺灣半導體產業來看，2010年設備市場規模將達59.2億美元，2011年上看77.6億美元，而2010年半導體材料市場規模可達78.5億美元，2011年上看85.5億美元。

　　未來在科技新產品應用上，三星認為，醫療照護、機器人和車用市場相當受到關注，其中，聲音辨識加上空間視覺處理、人工智能等技術精進，對于機器人技術有很大挹注。另外，在存儲器領域，未來發展恐將面臨瓶頸。

　　目前存儲器業者最煩惱的問題是，NAND Flash技術恐面臨制程微縮極限，雖然業者聲稱NAND Flash技術在10奈米是可行的，但目前僅止于實驗室階段，未來3D技術可望解決此瓶頸障礙，因此，不少存儲器大廠如三星、東芝(Toshiba)等都投入開發3D技術，近期新的電荷擷取快閃存儲器(Charge Trap Flash;CTF)便逐漸崛起。

　　根據CTF架構，NAND Flash元件由鉭金屬(Ta)、氧化鋁(Aluminum Oxide)、氮化物(Nitride)、氧化物(Oxide)和矽晶層(Silicon)組成，因此，亦稱為TANOS架構，其運作方式是不使用浮動閘，而是從氧化層間的絕緣氮化矽層中擷取電荷，可控制所儲存電流，避免資料流失。