- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業部社長權五鉉表示，2010年存儲器將供不應求，且將在第2季內決定半導體領域的追加投資規模。
權五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導體產業協會2010年定期總會時說明，若期望在2010年內看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時間為考量推算，第2季就須先確定投資計畫。
權五鉉未發表具體追加投資金額，業界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。
權五鉉對于延后確認半
- 關鍵字：
三星電子 存儲器
- 在渡過困難的09年后,全球半導體業迎來新一輪的高潮。市場相繼出現存儲器, 模擬電路等缺貨現象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。
以臺積電為首的代工業也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
- 關鍵字：
存儲器 DRAM 模擬電路
- 單片機作為一種微型計算機，其內部具有一定的存儲單元(8031除外)，但由于其內部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法，將數據線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實現數據線與地址線功能的分時轉換，數據線不僅用于傳送數據信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實現單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256 KB數據存儲空間的擴展為例，通過該擴展方法，僅用10個I／O端口便可實現，與傳統的擴展方法相比，可節約8個I／O端口。
- 關鍵字：
存儲器 擴展 數據 P0 單片機 基于 數字信號
- 在深入了解Flash存儲器的基礎上，采用單片機自動檢測存儲器無效塊。主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內容，判斷該塊的好壞，并給出具體的實現過程，以及部分關鍵的電路原理圖和C語言程序代碼。該設計最終實現單片機自動檢測Flash壞塊的功能，并通過讀取ID號檢測Flash的性能，同時該設計能夠存儲和讀取1 GB數據。
- 關鍵字：
自動 檢測 存儲器 FIash 單片機 基于
- 韓國半導體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。
海力士營收穩定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價格拉臺刺激。
海力士表示，DRAM本季平均價格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價格雖下滑8%，然出貨量持平。
- 關鍵字：
Hynix DRAM 存儲器
- 存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現停電意外，海力士宣稱僅發生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統支應，并未造成任何損失，存儲器業者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達2小時之久，盡管停電事件對于實際產出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊，若韓系大廠再減少一些產能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。
海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
- 關鍵字：
Samsung 存儲器 DRAM
- 據路透(Reuters)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)表示，正在考慮為2007年釋出的5.83億美元可轉換債券進行再融資，該批可轉換債券原定2010年5月可提前贖回。
海力士尚未決定再融資的方式及時間細節，且尚未決定要由哪里家銀行經手。韓國媒體則點名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信貸銀行(Credit Suisse)、美林證券(Merrill Lynch)及蘇格蘭皇家銀行(Royal Bank of Scotland)可能為經手商。
海
- 關鍵字：
海力士 存儲器
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：山東要建12英寸，取名華芯，己經有一個班底，而且兼并了奇夢達科技西安有限公司，成立了一流的動態存儲器芯片設計開發團隊，其注冊資金3億元等。山東對于存儲器有想法是值得贊頌。然而看存儲器業的規律，不是肯投資就能成功，如臺灣地區己累計投資達300億美元,使得臺灣地區的12英寸產能為月產50萬片(08年Q2時,全球存儲器最大產出時為每季140萬片),與韓國一樣多。然而在全球存儲器的市場份額中(依銷售額計)卻遠低于韓國,大約比例為45%;15%，差3倍。所以除了投資
- 關鍵字：
集成電路 存儲器 封裝
- 按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導體設備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關連的設備僅下降8.7%。
在2006未Micron技術公司首先在DRAM產品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產線進行升級改造, 導入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導體設備市
- 關鍵字：
三星 存儲器 DRAM
- 近日，NEC宣布將與美國Netezza公司共同開發數據倉庫(DWH)應用系統，該產品對基干系統的大量數據進行存儲、分析，為企業提供決策支持。
Netezza公司是最早開發DWH應用系統的廠商，憑借其產品的優秀管理性能和易用性贏得了市場的認可，成為商業智能(BI)/DWH領域的領先公司。目前Netezza公司已經贏得了眾多客戶，來自于通信業、金融業、零售業、制藥業、政府機關等諸多行業。
此次，由兩家公司共同開發的產品，由組成DWH的最基本要素，數據庫?軟件、服務器、存儲器構成。該產品通過Ne
- 關鍵字：
NEC 服務器 存儲器 數據倉庫應用系統
- NIOS II的SOPC中存儲器型外設接口的設計,0 引言
隨著微電子設計技術與工藝的發展，數字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發展成專用集成電路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同時可編程邏輯器件也取得了長足進步。
如今，可完成超
- 關鍵字：
接口 設計 外設 存儲器 II SOPC NIOS
- 臺DRAM產業大吹減資風，繼2009年第3季南亞科完成減資66%，力晶12日宣布減資38%，減資后凈值6.9元，預期以力晶目前獲利能力，第3季底完成減資后，凈值可望提升至10元以上，而下一個可能減資的DRAM廠將是茂德，預計在股東會提出減資計畫機率相當高，屆時臺灣3家DRAM 廠減資金額合計超過新臺幣1,000億元，成為臺灣DRAM產業史上最大規模集體瘦身運動。
2010年全球DRAM產業景氣大好，各廠紛掌握此機會辦理減資以獲得重生，繼南亞科2009年完成66%減資計畫后，力晶12日董事會亦通過
- 關鍵字：
力晶 DRAM 存儲器
- 摘要：為避免在程序運行時向單片機內置的Flash寫入數據導致復位，采用調用鎖定與關鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機的Flash進行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
- 關鍵字：
擦寫 方法 存儲器 Flash 單片機 內部 C8051F35X
- 2010年DRAM貨源持續短缺，由于Windows 7換機潮驅動下，PC大廠DRAM采購規模持續擴大，排擠到存儲器模塊廠的貨源，為進一步確保與DRAM廠間的合作關系，且彼此拉進距離，日前創見董事會同意貸款給力晶新臺幣15億元，同時以瑞晶股票作擔保品，并依債權的100%設定質權予創見。
過去DRAM價格崩盤之時，也常出現存儲器模塊廠金援上游廠的例子，彼此互相協助來共度難關，以往模塊廠常以預付貨款的方式，協助DRAM廠買原物料生產，再以專款專用方式來確保產能回銷給模塊廠。
創見指出，這次貸款給
- 關鍵字：
力晶 存儲器 DRAM
- 半導體業間的兼并不可避免似乎己被廣泛地接受，如近期由日立和三菱半導體部組成的瑞薩，又與NEC合并組成新的瑞薩及AMD兼并ATI等。本文認為兼并發生在各個方面, 未來可能更會加劇。
但是Mentor的市場分析師Merlyr Brunken的看法認為截止今日實際上看到的情況正好相反。如自1960年以來半導體業已經減緩分散性, 如全球首位芯片供應商是英特爾, 它的市場份額近13%幾乎沒有改變, 盡管35年前全球首位是德儀, 后來的NEC, 但是當時它們的市場份額幾乎也在13%左右，變化并不大。
- 關鍵字：
半導體 存儲器 SoC
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
