存儲器文章最新資訊

DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。　　臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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ISS預期2010年存儲器供應偏緊

　　由于存儲器市場需求上升，但是投資顯得嚴重不足，所以今年可能出現(xiàn)供不應求局面。　　按ICInsight數(shù)據(jù)，在2007年存儲器投資達323億美元，而在2009年為68億美元，預計2010年為144億美元。　　Bill McClean認為即便存儲器投資144億美元，也無法滿足2010年市場的需求。　　他預言對于半導體及設(shè)備來說2010年是個重組年。　　2010年半導體市場有望達到2707億美元，比09年上升15%，而09年的IC市場為2354億美元，比08年下降10%。ICInsight表
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Maxim推出可編程gamma校準基準系統(tǒng)

　　Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲器的10位gamma校準基準系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個分立元件，極大地降低了方案成本。Maxim的MTP技術(shù)實現(xiàn)了NV (非易失)存儲器與高性能放大器的集成，可將gamma和VCOM寄存器值存儲在芯片內(nèi)。每個系統(tǒng)均支持多達100次的gamma和VCOM值寫操作，無需使用外部EEPROM。這些高度集成的系統(tǒng)具有12路(MAX9672)、14路(MAX
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晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴增

　　2010年一開春臺積電、聯(lián)電法說成外界關(guān)注焦點，晶圓雙雄對于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標之一。半導體設(shè)備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動劇烈，但以臺積電為例，過去景氣不錯的數(shù)年，臺積電采買設(shè)備都不手軟，目前已知2010年臺積電資本支出將高達約45 億美元，聯(lián)電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。　　臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺積電總共約采買新臺幣1,450億元，相當于45億美元添購設(shè)備，預料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者，在因應急單時
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超大容量存儲器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應用

摘要：新型超大容量Flash存儲器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲器與C8051F020單片機外部存儲器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲器的主要操作流程和部分C語言代碼。關(guān)鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲器接口管道
關(guān)鍵字：通徑儀應用管道及其存儲器 K9F2G08U0M 大容量

存儲器及代工推動2010年投資增長

　　按華爾街的一位分析師預計，2010年半導體固定資產(chǎn)投資在存儲器和代工的再次推動下可達335億美元，比09年增加50%。　　由于09年存儲器的產(chǎn)能緊縮，在2010年為了滿足市場需求的增加，制造商又開始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預測，半導體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過比較，其中存儲器相比于09年增加38%，而相比于07年又下降63%。　　代工的投資在2010年將由09年的50億美元，上升到90億美元。并預計投資集中在臺積電及新廠Globalfoun
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基于閃存的星載大容量存儲器的研究和實現(xiàn)

摘要：就閃存應用于星載大容量存儲器時的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個基于閃存的大容量存儲器的演示樣機的實現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
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為存儲器測試開發(fā)低成本的解決方案

便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們越來越依賴蜂窩電話、PDA和導航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進步，過去幾年中大容量存儲器件的設(shè)計和開發(fā)呈指數(shù)級增長。例如，從蘋果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
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威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預計會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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對FPGA中SPI復用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
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相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：容量
C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更
關(guān)鍵字：存儲器模型新型使用全新實現(xiàn) 相變

基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計

1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計一種符合當代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進行研究。
本文第二部分介紹當代D
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計存儲器結(jié)構(gòu) 當代 DRAM 基于

半導體二手設(shè)備市場看好

　　全球半導體翻新，二手設(shè)備市場歷來很難精切的界定及統(tǒng)計，有人認為是處于半祕密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應商或者購買設(shè)備的公司都比較含蓄，而不大愿意公布其細節(jié)。因為購買二手設(shè)備從好的方面被認為是節(jié)省投資，從不好方面可能會讓人另眼相看。但是在目前階段那些負面的影響可能會減少。因為一方面工業(yè)處于下降周期，二手設(shè)備拋向市場增多，而在另一方面業(yè)界對于二手設(shè)備的認識也逐漸有所改善。　　ClassOne是美國Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應商，進行二手設(shè)備的買賣，包括薄膜
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海力士：2010年DRAM供不應求

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]