存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

中國存儲器市占2年內(nèi)大躍升盧超群：產(chǎn)業(yè)進入重大轉(zhuǎn)型期

全球存儲器市場正在從谷底回升，看好存儲器將成為AI運算的核心之一，但鈺創(chuàng)董事長盧超群示警，中國大陸廠商正加速擴張中低階DRAM產(chǎn)能，未來2年市占率將可望躍升至4成，恐將沖擊全球價格與產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。對于短期需求，盧超群表示，是否處于真實需求或庫存拉貨，仍需進一步觀察，但從第2季起需求已逐步浮現(xiàn)，預期第3~4季有望逐季轉(zhuǎn)強，包括車用產(chǎn)品在關稅政策壓力下，目前尚未接獲任何來自客戶的負面回饋，因此將審慎態(tài)度因應短期變動，推進長期的應用布局。鈺創(chuàng)觀察，旗下存儲器產(chǎn)品較少直接出貨至美國市場，但近期在對等關稅90天豁免期間
關鍵字：存儲器盧超群

TrendForce:預估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期國際形勢變化已切實改變了存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應對未來市場不確定性，預期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季的DRAM和NAND Flash合約價調(diào)漲幅度皆較原本預期擴大。然
關鍵字： TrendForce 集邦咨詢存儲器

Teledyne e2v 雙倍容量太空級 8GB DDR4 內(nèi)存芯片，面向高可靠性太空應用

超緊湊、彈性的存儲器芯片提高了面向通信、地球觀測、科學和邊緣計算的衛(wèi)星的高級任務的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現(xiàn)已發(fā)布，飛行正片 (FM) 正在制造中，計劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲器提供與較小的4GB DDR4選項相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設計的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲器支持2400MT/s的傳輸速率。它對高達60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外，該器件提供100 krad總電離劑量 (TID)，
關鍵字：宇航級 DDR4 存儲器

三星電子計劃上調(diào)存儲器價格

根據(jù)韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進行價格調(diào)整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩(wěn)定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
關鍵字：三星電子存儲器

鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

11 月 7 日消息，鎧俠日本當?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎設施研究開發(fā)項目 / 先進半導體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預計將變得極其龐大，從而導致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM
關鍵字：鎧俠存儲器 CXL接口

HBM外另一大關注重點：新一代存儲器GDDR7是什么？

隨著GDDR7存儲器標準規(guī)格于今年確定，存儲器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級，提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢？其實GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時脈頻率為14
關鍵字： HBM 存儲器 GDDR7

2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調(diào)整，預計下半年價格將面臨壓力

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預期回溫，如智能手機領域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費
關鍵字：存儲器現(xiàn)貨市場 TrendForce

富士通半導體存儲器解決方案株式會社宣布更名為RAMXEED LIMITED

日本橫濱2024年8月20日 /美通社/ -- 富士通半導體存儲器解決方案株式會社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名稱將變更為RAMXEED LIMITED。在更名的同時，公司的電子郵件地址和網(wǎng)站網(wǎng)址也將提前更新，而郵政地址和電話號碼則保持不變。新公司徽標：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
關鍵字：富士通半導體存儲器 RAMXEED LIMITED

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC 都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋一、ROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，可
關鍵字：存儲存儲器

HBM之后存儲器市場掀起新風暴

AI人工智能應用持續(xù)推動存儲器市場前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當之無愧的“寵兒”，不斷吸引存儲器廠商加大資本支出與擴產(chǎn)。與此同時，存儲器市場新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動存儲器市場穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計算提供強大支持，不過GDDR7與HBM在技術(shù)、應用場景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
關鍵字： HBM 存儲器

合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大，帶動營收較前一季度成長5.1％，達183.5億美元，推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價意圖強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應用之
關鍵字：存儲器 DRAM TrendForce

存儲器最新發(fā)展路線圖

數(shù)字存儲需求不斷增長，這需要更先進的存儲技術(shù)來支持強大的數(shù)字海量存儲層次結(jié)構(gòu)。
關鍵字：存儲器

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
關鍵字：存儲器 flash EEPROM

存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
關鍵字：存儲器 DRAM TrendForce

AI PC一觸即發(fā)，存儲器、NPU等大放異彩！

AI浪潮正持續(xù)改變各行各業(yè)，此前歷經(jīng)下行周期的PC市場也開始迎來新的機會。今年以來，無論是美國消費電子展（CES）還是巴塞羅那世界移動通信大會（MWC），AI PC都成為了當之無愧的焦點，包括英特爾、AMD、英偉達等芯片大廠，以及聯(lián)想、戴爾、宏碁、華碩、榮耀等下游廠商紛紛推出相關產(chǎn)品，布局AI PC。業(yè)界直言，2024年或是AI PC元年，這一風口下，半導體領域NPU以及存儲器等有望持續(xù)受益。一 AI PC一觸即發(fā)，半導體大廠瞄準NPUChatGPT的橫空出世，讓人見識到了AI大模型的威力，隨后，
關鍵字： AI PC 存儲器 NPU

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]