- 存儲器芯片產業景氣在歷經兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經落底，但未來恐難重拾昔日科技業金雞母的豐采。
更慘的是，部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲，讓迫切需要進行的產業重整工作受阻，使得產業仍呈現過度擁擠狀態，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。
“除了產業龍頭三星電子之外，其他動態隨機存取存儲器(DRAM)業者都必需想出對策以保留現金及繼續存活。”富邦投顧研究部協理李克揚表示。
長期來看，部分業者很難獨自走出活路。
臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
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三星 DRAM 存儲器
- 富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費類FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產品。這兩款低功耗存儲器適用于數字電視、數字視頻攝像機等消費類電子產品的系統級封裝(SiP)。
如果SiP架構上的片上系統(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當SiP工作速度提高導致工作
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- 美國硅谷一家公司19日宣布開發出一種新技術，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。
這家名為“統一半導體”的公司發布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。
NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數碼產品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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- DRAM產業面對臺灣存儲器公司(TMC)成立，已逐漸接受當前事實，尤其現階段資金問題仍相當窘迫，各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業者透露，臺塑集團已撥款逾新臺幣100億元，力挺旗下南亞科和華亞科，宣示力拼DRAM產業決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(Elpida)，亦傳出12寸晶圓廠有停工計畫;至于茂德中科廠考慮作1個月休1個月。不過，各DRAM廠對于上述說法均不予證實，力晶董事長黃崇仁則表示，只是依季節性作調整，依照目前DRAM現貨價格決定投片多少。
臺DRAM廠對于政府整合產業結
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- 市場調研公司Carnegie Group的分析師指出，3月全球芯片銷售額三個月平均額估計為147億美元，較2月的142億美元增長5%，較去年3月減少30%，與2月和1月的同比跌幅相當。
PC、存儲器、LCD和汽車用芯片銷售額都較2月有所改善。然而，消費電子產品支出在3月有所減弱，1月和2月消費電子顯示出驚人的反彈。對供應鏈存量縮減的平衡并不能說明庫存周期開始朝正面的方向發展。
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- 近日IMEC成功地將靜態存儲器分析工具MemoryVAM轉交給Samsung。該工具可預估深亞微米IC技術中因工藝不穩定而造成的SRAM成品率損失。
該工具同時還幫助存儲器和系統設計者估算由于周期時間、存取時間和功耗等工藝因素變化而造成的成品率降低
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- 為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產。
DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質性的太多進展。
三星表示DDR3能使設計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。
未來Xeon 5500處理器結合DD
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- SanDisk與全球25家NAND Flash相關業者的侵權官司纏訟1年多，日前終于確定SanDisk敗訴，讓內存模塊廠和控制芯片業者大大松了一口氣!存儲器廠商認為，臺灣模塊廠在NAND Flash領域默默耕耘多年，把NAND Flash市場大餅越作越大，但最后SanDisk卻撒下專利天羅地網，想把大家一網打盡，所幸最后官司結果，沒有讓SanDisk坐享其成!惟SanDisk 2008年起在閃存本業上虧損連連，與三星電子(Samsung Electronics)的收購計劃，又鬧的不可開交，這次專利官司
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- 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫療設備、家用電器等領域。利用其信息非易失性和可以在線更新數據參數特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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- 日本個人電腦(PC)存儲器廠商爾必達記憶體和臺灣記憶體公司(TMC)正在考慮交叉持股，鞏固他們新近達成的合作關系，此舉提振爾必達和臺灣同業股價連續第二天上揚。
周三，TMC選中爾必達作為其技術合作夥伴。爾必達周四表示可能允許TMC持其10%左右的股份，并購入TMC股份，TMC是臺灣官方為拯救記憶體晶片(存儲器芯片)產業而成立的新公司。
過去一年的大部分時間，由于供應過剩和需求遲滯引發全球形勢低迷，動態隨機存取記憶體(DRAM)廠商一直為虧損所困擾。爾必達和臺灣企業試圖通過合作，更好地與行業
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- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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- 由外部總線訪問MPC5554的內部存儲器,本文所述的基于MPC5554和FPGA的測試系統已調試完成，MPC5554內部的Flash存儲器可以通過EBI模塊由外部的FPGA進行讀寫。與外掛的存儲器相比，通信讀／寫速度和系統的可靠性都大大提高。在實際應用中，其他處理器也可以像文中的FPGA一樣模擬總線時序。當應用中不需要數據傳輸時，也可將連接配置為普通I／0以作他用，硬件配置靈活。
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- 力晶與爾必達(Elpida)針對旗下轉投資的DRAM廠瑞晶電子正式完成股權轉移，力晶16日確定出售7.9251萬張的瑞晶股票給爾必達，每股價格為新臺幣11.17元，總交易金額為8.85億元，爾必達順勢成為瑞晶的最大股東，也是臺灣第1家日資DRAM廠，存儲器業者認為，此舉將有利爾必達加入TMC公司，旗下瑞晶順利擠入TMC的生產制造基地之一，目前瑞晶在中科的12寸晶圓廠R1單月產能約8萬片，未來可望成為TMC公司的生產平臺。
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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