三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲器先進制程,對于臺灣DRAM廠來說,又將面臨一次嚴峻的考驗。
DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來看,很難靠一己之力對外籌資。也因此,包括韓國、日本等國政府都已出手金援,相形之下,臺灣DRAM廠迄無政府資金奧援,儼然落居劣勢。
由于資金壓力緊迫,加上政府產業(yè)再造計劃仍沒有進一步具體動作,甚至連政府挹注TMC資金都還沒到位,近期臺塑集團旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動募資計畫,將有助提升臺灣DRAM 產業(yè)競爭力與韓系業(yè)者勢力抗衡。
伴隨
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三星 DRAM 存儲器
2009年DRAM產業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預估,將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算,2009年的總資本支出也頂多10億美元,較目前規(guī)劃的金額減少6億美元,充分反應對存儲器市場看法的保守;此外,臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉進50納米,2009年資本支出規(guī)劃超過新臺幣100億元,力晶資本支出不到50億美元,茂德更無資本支出可言。
DRAM業(yè)者表示,以
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海力士 DRAM 存儲器
根據(jù)半導體設備權威機構SEMI的報道,由于今年半導體投資迅速下降,導致全球產能下降。
SEMI認為如果半導體市場迅速與全球經濟同步復蘇,目前的低投資水平無法滿足需求。
SEMI預計明年芯片廠投資將增加60%。
然而,2009年在很低水平,如08年用于芯片廠房建設投資為46億美元,而09年僅16億美元。預計明年為28億歐元。
全球半導體設備業(yè)于2008年消費260億美元,2009年為140億美元, 而2010年預計為220億美元。
總的半導體用于廠房投資,包括設施及設備,2
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英特爾 半導體設備 存儲器 MPU
高性能系統(tǒng)設計師在滿足關鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能,而存儲器>存儲器接口設計則是一項艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器
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FPGA 助力 存儲器 接口設計
市場調研公司VLSI Research指出,6月全球半導體設備訂單出貨比11個月來首次超過1。
VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示,6月全球芯片設備訂單出貨比升至1.01,是去年7月來首次突破1。
6月全球設備訂單額達25億美元,較5月增長40%,但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長31%,達24億美元,但較去年6月減少57%。
VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平,但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢。
后端設備供應商預計將獲得一次強勁增長,后端工廠產能利
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芯片設備 半導體設備 SDRAM 存儲器
三星破天荒公布第二季獲利預估,優(yōu)于市場預期,業(yè)界認為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務涵蓋面板、手機、半導體晶片等三大領域,以現(xiàn)況來看,面板需求暢旺無虞,但半導體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲領域,則仍有觀察空間。
近來包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內外大廠,紛紛看好下半年DRAM價格走勢,為市場信心吞下一顆定心丸。
但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場預期,在記憶體價格仍未見明顯起色下,是否會以其他部門的獲利,來彌補存儲事業(yè)虧損,進而持續(xù)以&
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三星 DRAM 存儲器
全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
外傳日本存儲器大廠爾必達(Elpida Memory)計劃在6月申請數(shù)百億日圓的政府紓困基金,以挹注手中資本,因應虧損連連的局面,可能會尋求的資金最高達400億日圓(約4.16億美元)。道瓊(Dow Jones)引述爾必達發(fā)言人19日說法指出,爾必達正在考慮申請紓困基金。
日本共同通信社(Kyodo News)引述不具名人士消息指出,日廠爾必達可能將成為因受到全球金融危機打擊、第1家接受日本政府最新紓困方案基金的企業(yè)。外傳日本國營日本政策投銀行(Development Bank of Japan
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爾必達 存儲器
出口重壓之下,政府刺激政策再度出臺。
6月8日,經國務院批準,財政部和國家稅務總局聯(lián)合發(fā)布通知,宣布從6月1日起再度提高電視用發(fā)送設備等五個方面部分商品的出口退稅率。
事實上,自去年8月份以來,國家已經連續(xù)七次上調部分商品的出口退稅。在金融危機導致海外市場需求下滑背景下,政府希望通過提高出口退稅以降低出口成本,從而刺激出口。
但現(xiàn)實中,外貿出口形勢依舊不容樂觀。
來自海關總署的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年5月,我國出口總值887.6億美元,同比下降26.4%——這
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印刷電路 存儲器 液晶顯示板
在全球金融危機影響下,半導體業(yè)正進入前所未遇的嚴重衰退時期,半導體固定資產投資在2008年下降27.3%基礎上,2009年將再下降34.1%。綜合分析各大分析機構的預測數(shù)據(jù),2009年全球半導體業(yè)年銷售額的下降幅度將在15%到20%之間。
半導體設備業(yè)受災最重
半導體產業(yè)鏈中設備業(yè)受到的影響相對最為嚴重。依Gartner公司的官方數(shù)據(jù)顯示,全球半導體業(yè)固定資產投資兩年來逐漸下滑,2007年為592億美元,2008年下降了27.3%,為490億美元,而09年將再次下降34.1%,為323億美
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半導體 存儲器 處理器 摩爾定律
在全球金融危機影響下,半導體業(yè)正進入前所未遇的嚴重衰退時期,半導體固定資產投資在2008年下降27.3%基礎上,2009年將再下降34.1%。綜合分析各大分析機構的預測數(shù)據(jù),2009年全球半導體業(yè)年銷售額的下降幅度將在15%到20%之間。
半導體設備業(yè)受災最重
半導體產業(yè)鏈中設備業(yè)受到的影響相對最為嚴重。依Gartner公司的官方數(shù)據(jù)顯示,全球半導體業(yè)固定資產投資兩年來逐漸下滑,2007年為592億美元,2008年下降了27.3%,為490億美元,而09年將再次下降34.1%,為323億美
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應用材料 半導體 存儲器 處理器 光刻機 芯片制造 200906
市場洶涌向前
NetbooK的中文名稱為“網本”或“上網本”,英特爾在2008年上海IDF大會上才明確推出了這一概念:“配備Intel Atom處理器的無線聯(lián)網筆記本,具備互聯(lián)網、電子郵件、即時通訊等功能,并能作高性能的流式視頻和音樂播放。”實際上是英特爾提供的一個采用英特爾技術及核心 CPU的解決方案,在此基礎上,再由第三方廠商根據(jù)自身的需求開發(fā)出自己的成型產品。這些易于使用的電腦具備無線上網、更長的電池使用時間、防水鍵盤
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Intel Atom 上網本 HDD 存儲器 200906
根據(jù)SEMI World Fab Forecast的最新預測,晶圓廠建設支出自2008年來持續(xù)呈現(xiàn)季度負增長,2009年預計同比減少56%。從全球來看,建設支出達到10年來最低點。然而,該報告的最新數(shù)據(jù)顯示,2009年下半年晶圓廠建設支出和設備支出將恢復增長,并將持續(xù)至2010年。2010年,晶圓廠建設支出預計成倍增長,設備支出也可能增長多達90%。
實際上美國資本投入正在增長,季度支出額正在朝10億美元邁進,主要因為Intel宣布了投資計劃,準備轉入32nm制程。
根據(jù)報告,2008年關
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Intel 晶圓 存儲器 邏輯電路
《福布斯》雜志網絡版日前撰文指出,隨著中國和印度等新興經濟體對智能手機的越來越癡迷,全美庫存減少訂單上升,半導體行業(yè)開始觸底反彈、顯現(xiàn)V形復蘇的跡象。
商業(yè)環(huán)境得到改善
與互聯(lián)網息息相關的全球經濟依然存在,電子設備生產行業(yè)也在經歷低谷之后,開始呈現(xiàn)V形復蘇。盡管大多數(shù)芯片制造商迄今業(yè)績都有適度改善,分析師預測仍認為這個行業(yè)還受到諸多因素的限制,但強勁反彈的苗頭正開始顯現(xiàn),這勢必顯著推動對全行業(yè)的良好預期。專有內容芯片庫存有望率先突出重圍,也許會很快恢復到去年夏天銷量暴跌以前的水平。
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半導體 液晶顯示器 存儲器 芯片制造
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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