- 盡管臺灣創新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本，可能藉由與爾必達(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產業復活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達手上瑞晶股權，不過，爾必達會不會同意釋股仍是大問題。
存儲器業者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業界多認為并沒有這個必要，因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%，其實都不能改變主導權旁落爾必達的事實，
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TIMC DRAM 存儲器
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現小幅吃緊狀態，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當樂觀，原本外界預期12月合約價格會開始下跌，反應淡季效應，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現將優于NAND Flash市場。
存儲器模塊廠一致看好2010
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南亞科 DRAM 存儲器 NAND
- 美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計年度第1季(2009年9~11月)財報，由于存儲器價格回溫，因此在連續虧損11季之后，終于由虧轉盈。第1季營收為17.4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2.04億美元，每股盈余(EPS)為0.23美元。
據彭博(Bloomberg)的預估，美光第1季的每股盈余為0.06美元，實際表現情況超出華爾街多數分析師的預期。美光執行長Steve Appleton表示，盡管全球經濟仍挑戰重重，美光靠著技術領先、成本優勢及財務穩健的優勢，可望在市
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Micron 存儲器
- 東京大學宣布已經開發出一種可彎曲的快閃記憶體，這種記憶體完全由有機材料打造，額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V，可惜的是壽命不長，數據只能被寫入和擦除超過1000次左右。
這種存儲器的用途廣泛，可以用于大面積的傳感器，電子紙和其他大型電子設備，由于存儲壽命問題沒有解決，因此還沒有到商用階段。
目前早期的樣機已經出現，這種記憶體采用聚乙烯酯(PEN)，作為樹脂薄膜基板，可以靈活彎曲直至它的半徑為6mm也不會出現數據損害，并且可以短期保持記憶。
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存儲器 電子紙 傳感器
- 日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。
爾必達社長兼執行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。
他表示：“明年(DRAM芯片產業狀況將大幅好轉。”
爾必達預期，一些驅動新需求的動力，例如微軟的Window 7個人電腦操作系統，有可能刺激個人電腦汰換潮發生，進而提升存儲芯片的銷售力道。
坂本幸雄預期，明年全球用于電腦
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Elpida DRAM 存儲器
- 非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高，數據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器，而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。
經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節點的新式存儲器機制和材料。
目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制，相變存儲器(PC
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恒憶 NVM 存儲器 浮柵存儲
- 臺灣DRAM產業暌違4年，2010年即將出現第6家上柜掛牌的DRAM新兵，爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜，為枯木逢春的存儲器產業再添色彩!值得注意的是，目前爾必達對瑞晶持股達70%，申請掛牌前勢必要先釋股，持股降至50%以下，已傳出計畫引進策略聯盟伙伴的消息，產業上、下游供應鏈都會是潛在的合作對象;存儲器業者分析，雖然日方希望爾必達能掌握瑞晶多數股權，但若瑞晶未來可以獨立募資，這是對母、子公司都好的作法。
臺灣DRAM產業共有6家DRAM廠，其中有5家已掛牌上市柜，1
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Elpida DRAM 存儲器
- DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關業者預估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復到合理利潤，預期2010年DRAM產業將呈現上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續到2013年。
聯測科技總經理徐英琳分析2010年第1季，預期存儲器景氣仍將延續2009年第4季榮景，預估2個季度景氣應為持平，不像過去第1季的季節性循環會季減10%。就產品別而言，Nor Flash和
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Spansion DRAM 存儲器
- 臺灣半導體生產商期望通過轉變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰，但此舉可能導致它們全盤退出核心業務。
由于芯片行業從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。
與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產技術持續發展壯大。
為應對上述局面，臺資公司
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力晶 DRAM 存儲器
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動化有限公司(納斯達克代碼：LAVA)日前宣布，領先的存儲器產品提供商Hynix半導體公司已采用并部署微捷碼公司的FineSim™ Pro和FineSim SPICE作為其存儲器設計和驗證流程的一個必要組成部分。Hynix是在對其現有的大量商用產品、多種不同類型設計進行廣泛的技術評估后才做出的這個決定。評估結果證明：FineSim Pro能在提高精度的同時提供較競爭對手產品更快3-4倍性能。
“準時交付高可靠性存儲
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Magma 電路仿真 存儲器
- 微捷碼日前宣布，東芝公司(Toshiba Corporation)將部署Quartz(tm) DRC和Quartz LVS用于快閃存儲器設計。東芝公司是在32納米設計上驗證了這兩款微捷碼物理驗證產品的精度后才做出的這個決定。據驗證結果顯示：Quartz DRC和Quartz LVS的先進功能可改善東芝快閃存儲器設計的良率和可靠性。
傳統DRC和LVS工具僅采用物理行為分析，這種方式不是引入了過度保守主義，就是不能識別出對產品可靠性有影響的各種效應。在先進工藝節點，電學行為分析也是不可或缺的。微捷
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東芝 32納米 存儲器
- 臺系DRAM廠開始規劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星，未來三星不僅將穩坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。
三星是這一波DRAM產業海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產業，亦讓美、日系
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力晶 DRAM 存儲器
- 全球第2大芯片設備制造商Tokyo Electron(TEL)董事長東哲郎(Higashi Tetsuro)表示，受惠于存儲器芯片制造商需求提高，預估第4季訂單將超過原先預期。
東哲郎引述瑞士信貸(Credit Suisse Group AG)所做的預測表示，截至12月底止的第4季芯片與FPD制造設備的下訂金額將達1,050億日圓(約12億美元)，相較于10月TEL預測下訂金額為938億日圓(約10.7億美元)，提高了12%。
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TEL 存儲器 芯片制造
- 在本應用文章中，描述了與DDR相關的許多測試挑戰，并提出了驗證和調試存儲器設計的工具。
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DDR 存儲器 電氣特性
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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