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        存儲(chǔ)器 文章 最新資訊

        電源管理IC是DDR SDRAM存儲(chǔ)器的理想選擇

        力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

        •   “經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期,卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件,形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局,反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示,2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash,且100%為自有技術(shù),比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件,未來力晶
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        中芯國際2009年技術(shù)研討會(huì)在京舉行

        •   中芯國際集成電路制造有限公司于10月15日在北京舉行中芯國際2009年技術(shù)研討會(huì),也是中芯國際舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì)。本次研討會(huì)吸引了三百多位來自全球各地的客戶、芯片設(shè)計(jì)工程師、技術(shù)合作伙伴與供應(yīng)商等的參與。   “機(jī)遇 挑戰(zhàn) 創(chuàng)新”為本次研討會(huì)的主題。中芯國際副總裁陳秋峰博士在開幕致詞時(shí),回顧了中芯國際在過去幾年中的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新,重點(diǎn)介紹了中國市場(chǎng)的機(jī)遇,指出了中芯國際未來順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的發(fā)展方向。中芯國際感謝所有客戶、合作伙伴和供應(yīng)商一直以來的大力支持,并期待未來以更緊密
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        全球工業(yè)日新月異 中國半導(dǎo)體業(yè)將如何突圍?

        •   在十一長(zhǎng)假中看到的資訊非常感嘆,有臺(tái)積電仍堅(jiān)持在2012年進(jìn)行18英寸硅片試產(chǎn)計(jì)劃;有臺(tái)灣學(xué)者發(fā)表對(duì)于未來半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)的預(yù)測(cè);TI公司利用已有閑置廠房及從奇夢(mèng)達(dá)購進(jìn)的300mm存儲(chǔ)器生產(chǎn)線,準(zhǔn)備新建全球第一條300mm模擬電路生產(chǎn)線;以及22納米技術(shù)新建一個(gè)新廠及研發(fā)費(fèi)用是多少?及關(guān)于全球代工可能進(jìn)入新一輪的兼并重組等。   各種來源的訊息,其中有積極的,也有少部分是悲觀的,反映了半導(dǎo)體工業(yè)的本來面貌,這是十分正常的。   涉及到中國半導(dǎo)體業(yè)的情況也差不多,其中有樂觀者,它們的觀點(diǎn)就是中國堅(jiān)持
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        宣明智:TIMC營運(yùn)計(jì)畫不變 朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

        •   TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注,然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓,引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計(jì)畫是否會(huì)生變?宣明智5日認(rèn)為,此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達(dá)的計(jì)畫之間沒有關(guān)連性,不明白外界為何會(huì)如此聯(lián)想,同時(shí)TIMC營運(yùn)的概況并不會(huì)受到影響。而工業(yè)局在上周也公開力挺表示,TIMC投資爾必達(dá)將有助深化雙方合作,對(duì)于政府推動(dòng)DRAM技術(shù)扎根的策略,相當(dāng)有助益,即使未來TIMC投資爾必達(dá),并無違反 WTO公平競(jìng)爭(zhēng)的原則。   由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
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        英特爾:為產(chǎn)業(yè)融合而重組

        •   英特爾在2005年1月17日重組的4年之后,于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。   坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看,有就事論事說主要產(chǎn)品部門整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的,也有說重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專注企業(yè)戰(zhàn)略的,還有說是因?yàn)橹袊x者熟悉的基辛格離職去了EMC的,而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。   西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人,而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上,英特爾自創(chuàng)始以來,從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
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        三星將新建存儲(chǔ)器生產(chǎn)線

        •   三星電子為了滿足高端計(jì)算機(jī)的日益增長(zhǎng)需求,計(jì)劃再新建存儲(chǔ)器生產(chǎn)線,這是近三年來首次。   產(chǎn)業(yè)觀察家認(rèn)為三星的決定反映對(duì)于全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的繼續(xù)看好。同時(shí)它決定全部退出過時(shí)的8英寸生產(chǎn)線。   三星的新生產(chǎn)線將于2010年下半年開始動(dòng)工,而且據(jù)稱將是“終極fab”,可理解為無論技術(shù)的先進(jìn)性及生產(chǎn)效率都是世界上的最高水平。   三星已經(jīng)停產(chǎn)于Gyeonggi省Hwaseong的被稱作line 10的8英寸生產(chǎn)線。   目前三星在Hwaseong運(yùn)行共有4條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線,如L
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        三星市值首度超越英特爾

        •   韓國媒體報(bào)導(dǎo),9月22日三星電子(Samsung Electronics)市值首度超越全球半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)。   韓國證交所指出,22日三星電子市值達(dá)1,102.4億美元,超越當(dāng)日英特爾市值的1,093.8億美元,預(yù)料日后兩者市值的龍虎之爭(zhēng)將更加激烈。   據(jù)悉,2008年9月金融危機(jī)爆發(fā)前之時(shí),英特爾、三星電子的市值分別為1,269億美元、761億美元,兩者間的落差達(dá)508億美元。   另一方面,三星電子22日的股價(jià)達(dá)82.5萬韓元(約686.5美元),較前1日高出3.38%,創(chuàng)
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        中芯國際中期虧損擴(kuò)大至2.77億美元

        •   中芯國際公布截至09年6月30日止中期業(yè)績(jī),錄得股東應(yīng)占虧損2.77億美元,每股虧損0.01美元,不派中期息。   該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。   特許與中芯國際誰更幸運(yùn)   阿布扎比金主再次攪動(dòng)半導(dǎo)體業(yè),繼上次拯救了AMD的財(cái)務(wù)困境后,此次又花重金收購新加坡特許半導(dǎo)體,并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業(yè)中產(chǎn)生極大的震蕩,非常明顯此舉既救了特許,同時(shí)又沖著臺(tái)積電而來。   處于全球代工第三及第四名的中芯國際與特許,如今兩者的地位發(fā)生了新的變化,好像特許又找了個(gè)“
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        恒憶發(fā)布新款汽車應(yīng)用存儲(chǔ)器產(chǎn)品

        •   在剛剛揭幕的 IIC China 2009 成都站上,恒憶嵌入式產(chǎn)品亞太事業(yè)部市場(chǎng)經(jīng)理?xiàng)铎o雯對(duì)業(yè)界發(fā)表演講,力薦嵌入式系統(tǒng)行業(yè)在簡(jiǎn)化和加快設(shè)計(jì)時(shí)考慮使用存儲(chǔ)器子系統(tǒng),以利于實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵的成本和時(shí)間優(yōu)勢(shì),鼓勵(lì)嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)進(jìn)一步創(chuàng)新。同時(shí),恒憶宣布面向高速發(fā)展的車載信息應(yīng)用推出一款全新產(chǎn)品。此次新產(chǎn)品的發(fā)布再次證明了恒憶對(duì)嵌入式系統(tǒng)客戶的承諾,為時(shí)下備受矚目的熱門應(yīng)用帶來了更高的性能、靈活性、兼容性和可靠性。   恒憶宣布其首款車用eMMC*解決方案正式上市,以滿足市場(chǎng)對(duì)車載信息娛樂應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。該
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        三星開始生產(chǎn)512M相變存儲(chǔ)器

        •   三星電子宣布已開始512M相變隨機(jī)存儲(chǔ)器的量產(chǎn),目標(biāo)應(yīng)用于手機(jī)等電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。   如果三星真能快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),那其相變存儲(chǔ)器進(jìn)程將超過Intel和STMicroelectronics的合資公司Numonyx。   相變存儲(chǔ)器具有良好的性能,如高速、高密度、低功耗等。但開發(fā)時(shí)間非常廠,三星首次宣布512M原型器件是在2006年9月。   三星稱相變存儲(chǔ)器可使電子器件的電池使用時(shí)間提高20%。   三星并未透露是在哪一個(gè)工廠生產(chǎn)相變存儲(chǔ)器。
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        NAND Flash缺貨潮11月前無解 大廠產(chǎn)能全被包下

        •   蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單,導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊,預(yù)計(jì)在2009年11月底之前,缺貨情況仍無解。現(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來,另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能,雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴,顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少,缺貨潮將延燒到11月。   存儲(chǔ)器業(yè)者表示,這次NAND Flash缺貨潮相
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        Ramtron推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA

        •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA,進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲(chǔ)器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲(chǔ)器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作,是Ramtron不斷增長(zhǎng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車存儲(chǔ)器產(chǎn)品的新成員。
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        存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

        •   DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗,破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì),然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì),未來內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及,都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。   2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
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        世界半導(dǎo)體市場(chǎng)企穩(wěn)向好

        •   二季度半導(dǎo)體市場(chǎng)凸顯張揚(yáng)   深陷困境的世界半導(dǎo)體市場(chǎng),突然在二季度爆發(fā),業(yè)界歡呼相告。   據(jù)IC Insights市場(chǎng)調(diào)查公司最新報(bào)告,半導(dǎo)體市場(chǎng)在去年四季度環(huán)比大降26%,今年一季續(xù)降14%之后,二季度卻大幅上揚(yáng)16%,這在過去25年歷史中是第4個(gè)最高的環(huán)比增長(zhǎng)速度,點(diǎn)燃了人們的信心和希望。   只是雖然二季度市場(chǎng)規(guī)模約達(dá)450億美元,同比還是下降了21%。
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        存儲(chǔ)器介紹

        什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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