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蘋(píng)果中國(guó)官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件：44040元

有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋(píng)果中國(guó)官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋(píng)果官網(wǎng)給出的售價(jià)來(lái)看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，為兩個(gè)128GB DIMM）售價(jià)為44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（兩個(gè)16GB DIMM）售價(jià)為5872元。如果查看蘋(píng)果內(nèi)存套件和Mac Pro技術(shù)規(guī)格會(huì)發(fā)現(xiàn)，蘋(píng)果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存最快2021年量產(chǎn)

國(guó)內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開(kāi)始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個(gè)項(xiàng)目的預(yù)計(jì)實(shí)施時(shí)間及整體進(jìn)度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動(dòng)首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場(chǎng)定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝。·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱(chēng)，并將經(jīng)過(guò)驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開(kāi)展流片試樣，反復(fù)修改直至通過(guò)系統(tǒng)驗(yàn)證。·2021年，對(duì)首款芯片試樣進(jìn)行封裝測(cè)試，并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證，并最終通過(guò)客
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集邦咨詢(xún)：供給調(diào)整速度不及需求成長(zhǎng)，2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲

近日，根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問(wèn)題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類(lèi)別，屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場(chǎng)，因此在買(mǎi)方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況，市場(chǎng)正快速?gòu)腉DDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場(chǎng)中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過(guò)頻率。芝奇此前就發(fā)布過(guò)DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來(lái)了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格扛不住了！漲起來(lái)

最近一段時(shí)間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)嗎？有購(gòu)買(mǎi)需求的小伙伴們可以入手了，因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開(kāi)始漲價(jià)了。
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中國(guó)公司DDR4架構(gòu)成國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) 正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定

日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。內(nèi)存價(jià)格每次大起大落，中國(guó)公司都很受傷，因?yàn)閲?guó)內(nèi)幾乎沒(méi)有公司可以參與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。瀾起科技是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，公司2018年?duì)I業(yè)收入175,766.46萬(wàn)元，凈利潤(rùn)73,687.84萬(wàn)
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三星將向中國(guó)芯片廠再投資80億美元：欲用創(chuàng)新壓制

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星電子將對(duì)其中國(guó)芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù)，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
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邊緣AI為智能零售、智能工廠帶來(lái)的改變

　　Amit?Gattani?（美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部?高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)）　　摘?要：存儲(chǔ)器廠商美光介紹了邊緣AI為機(jī)器視覺(jué)和智能零售、智能工廠應(yīng)用帶來(lái)的變化，以及美光的存儲(chǔ)器解決方案。　　關(guān)鍵詞：邊緣AI；智能零售；智能工廠；內(nèi)存　　1 智能零售、智能工廠的AI機(jī)會(huì)　　邊緣AI正在智能零售、智能工廠/制造、智能城市/交通等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域迅速崛起。它提供了更智能的業(yè)務(wù)洞察，以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)力、更低的運(yùn)營(yíng)成本，并更好地理解人們的行為。例如，零售商正在部署基于邊緣AI的系統(tǒng)，幫助更好地了解顧客行為、員工行為，管理店內(nèi)
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國(guó)產(chǎn)內(nèi)存再加速日本半導(dǎo)體行業(yè)重磅人物坂本幸雄加盟紫光

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)又迎來(lái)一名重磅外援——紫光集團(tuán)今天宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開(kāi)拓日本市場(chǎng)。坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在技術(shù)以及戰(zhàn)略發(fā)展上擁有優(yōu)秀的領(lǐng)導(dǎo)力。
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國(guó)產(chǎn)雄起！合肥長(zhǎng)鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加

存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。最新報(bào)道稱(chēng)，合肥長(zhǎng)鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓。在9月份開(kāi)幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶(hù)的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據(jù)悉，長(zhǎng)鑫的DRAM技術(shù)
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三星內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備受污染：損失數(shù)百萬(wàn)美元

三星電子透露，一周前，該公司的內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備受到污染，損失估計(jì)大約數(shù)百萬(wàn)美元。三星表示，事故發(fā)生在一個(gè)星期之前，現(xiàn)在已經(jīng)完全解決，生產(chǎn)重歸正規(guī)。據(jù)悉，污染設(shè)備影響了整座工廠，大批相關(guān)晶圓不得不報(bào)廢處理，損失慘重，而且據(jù)內(nèi)部人士稱(chēng)，實(shí)際損失可能比三星估計(jì)的數(shù)百萬(wàn)美元還要多，因?yàn)槿巧形赐瓿扇吭u(píng)估。三星沒(méi)有披露具體是哪座工廠出現(xiàn)的問(wèn)題，據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)是一家相對(duì)落后的200mm內(nèi)存晶圓廠，而不是新的300mm晶圓廠。停電、洪水、起火、中毒……內(nèi)存、閃存、硬盤(pán)工廠在歷史上總是事故不斷，也伴隨著各種漲價(jià)。三星這一出事
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三星內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)備污染發(fā)生在器興工廠專(zhuān)家：損失遠(yuǎn)超10億韓元

關(guān)于三星內(nèi)存工廠設(shè)備污染一事，更多的細(xì)節(jié)浮出水面。時(shí)間節(jié)點(diǎn)目前有兩種說(shuō)法，上上周和數(shù)周前，地點(diǎn)據(jù)韓媒披露位于三星器興（Giheung）工廠，事發(fā)原因是8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備受到污染。三星發(fā)言人已經(jīng)對(duì)外確認(rèn)傳言為真，但強(qiáng)調(diào)目前生產(chǎn)狀況正常，此次意外的損失預(yù)計(jì)在10億韓元左右（約合601萬(wàn)元人民幣）。不過(guò)，一些專(zhuān)家稱(chēng)，三星的實(shí)際損失遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于這個(gè)數(shù)字，而且官方并未統(tǒng)計(jì)出來(lái)。事實(shí)上，今年初，三星的第一代1x nm內(nèi)存也被在工廠階段查出質(zhì)量問(wèn)題。外界一方面擔(dān)心三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，另外猜測(cè)此次意外會(huì)否干擾到內(nèi)存的價(jià)格走向。資
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可以讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)千年的物體：二氧化硅

對(duì)于不少科技公司來(lái)說(shuō)，如何把數(shù)據(jù)更長(zhǎng)久的保存下去，這確實(shí)是個(gè)頭疼的問(wèn)題。據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，微軟研究團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行Project Silica二氧化硅項(xiàng)目，將信息編碼在一塊超強(qiáng)的玻璃上，為了證明它的有效性，他們?cè)诓Ａ洗鎯?chǔ)了一部經(jīng)典電影。據(jù)悉，Project Silica二氧化硅項(xiàng)目利用先進(jìn)的超快激光器件來(lái)完成此任務(wù)。激光在一塊硬質(zhì)石英玻璃中形成三維納米尺度光柵層，并在不同深度和角度產(chǎn)生變形。有點(diǎn)像舊唱片記錄方式，但規(guī)模更緊湊，更復(fù)雜。然后微軟采用機(jī)器學(xué)習(xí)算法，對(duì)通過(guò)玻璃的偏振光產(chǎn)生的圖像和圖案進(jìn)行解碼。按照上述
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DDR5內(nèi)存2020年開(kāi)始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)

最近一年來(lái)，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。很多玩家對(duì)DDR4內(nèi)存也沒(méi)感覺(jué)了，期待早點(diǎn)用上DDR5內(nèi)存，不過(guò)DDR5內(nèi)存的進(jìn)展沒(méi)有想象的那么快，2020年各大存儲(chǔ)芯片廠商才會(huì)量產(chǎn)DDR5內(nèi)存，兩三年后才能普及。主導(dǎo)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC規(guī)范組織雖然之前宣布2018年正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實(shí)際上并沒(méi)有，最終規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200Mbps起，最高可達(dá)6400Mbps，電
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內(nèi)存介紹

【內(nèi)存簡(jiǎn)介】　　在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱(chēng)內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存，港臺(tái)稱(chēng)之為記憶體）。　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]