大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。

海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。

針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。

TrendForce日前報(bào)告指出，2024年第一季DRAM合約價(jià)季增約13～18％，NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15～20％。TrendForce表示，原廠在2024年需求展望不明之際，持續(xù)減產(chǎn)，維持產(chǎn)業(yè)供需平衡，第一季DRAM漲幅，以Mobile DRAM的18～23％最大，主因在于買方傾向于合約價(jià)于歷史相對(duì)低點(diǎn)時(shí)建立安全庫(kù)存水位，持續(xù)放大備貨需求。

在Server和PC DRAM上，由于DDR5滲透率持續(xù)提升，原廠亦持續(xù)擴(kuò)大利潤(rùn)較佳的DDR5出貨占比，本季漲幅均為10～15％。

至于臺(tái)廠著墨較深的Consumer DRAM，雖進(jìn)入產(chǎn)業(yè)淡季影響終端銷售，但原廠強(qiáng)勢(shì)拉抬報(bào)價(jià)致使買方提前備貨，其中，DDR4產(chǎn)能受高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5排擠，本季漲幅為10～15％，DDR3則在庫(kù)存水位較高下，本季漲幅均為8～13％。

在NAND部分，盡管適逢傳統(tǒng)淡季，需求呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)品采購(gòu)以建立安全庫(kù)存水位，而供貨商為減少虧損，對(duì)于推高價(jià)格勢(shì)在必行，各項(xiàng)產(chǎn)品多有雙位數(shù)漲幅。惟NAND Flash Wafer由于短期漲幅已高，加上第一季需求尚未全面復(fù)蘇，模塊廠開始銷售Wafer庫(kù)存，鎖定獲利及維持營(yíng)運(yùn)現(xiàn)金流，導(dǎo)致買方追價(jià)意愿降低。第一季NAND Flash Wafer合約價(jià)季漲幅收斂，TrendForce預(yù)估約8～13％。