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        內(nèi)存和存儲的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案探析

        • 1 內(nèi)存和存儲領(lǐng)域的應(yīng)用和技術(shù)熱點(diǎn)數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲的需求,而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲的最大的需求來源。在移動(dòng)領(lǐng)域,基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長,智能手機(jī)比以往需要更大的DRAM,以支持計(jì)算攝影、面部識別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷,美光認(rèn)為2020年,智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120GB的 NAND。與此同時(shí),5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和NAND 閃存的更多需求。用戶可以在幾秒鐘內(nèi)下載整部電影,在沒有網(wǎng)絡(luò)延遲的情況下觀看360度的全景內(nèi)容和虛擬
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  存儲  

        美光交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機(jī)市場的低功耗DDR5 DRAM 芯片

        • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM?芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。作為小米的內(nèi)存技術(shù)合作伙伴,美光所供應(yīng)的?LPDDR5 DRAM芯片將帶來更低的功耗和更快的數(shù)據(jù)讀取速度,以滿足消費(fèi)者對于智能手機(jī)中人工智能?(AI)和?5G?功能日益增長的需求。“美光推出業(yè)界首款應(yīng)用于智能手機(jī)的低功耗?DDR5 DRAM芯片,將加速?5G?
        • 關(guān)鍵字: 芯片  內(nèi)存  

        要漲價(jià)嗎?內(nèi)存、閃存上游成交價(jià)持續(xù)上漲

        • 半導(dǎo)體行業(yè)因?yàn)榉N種原因,非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,在剛過去的1月份,內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價(jià)均有一定幅度的上漲。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%,均價(jià)來到2.84美元,128Gb MLC閃存顆粒價(jià)格環(huán)比上漲3.17%,均價(jià)來到4.56美元。
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        都是顆粒 為什么SSD有壽命、內(nèi)存卻沒有?

        • 隨著技術(shù)的發(fā)展,我們使用的存儲器也各種各樣,雖然都基于芯片顆粒,但表現(xiàn)截然不同,比如說讀寫次數(shù)限制,或者叫壽命,SSD固態(tài)硬盤就有限制,DRAM內(nèi)存卻沒有。按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲器,緊挨著CPU處理器,用來臨時(shí)存放后者需要的運(yùn)算數(shù)據(jù),并與外部存儲器進(jìn)行交換,起到橋梁的作用。DRAM內(nèi)存的特點(diǎn)是讀寫速度快、延遲低,但屬于易失性存儲,也就是一旦斷電,數(shù)據(jù)就會(huì)全部丟失。DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來保存數(shù)據(jù),而且只是臨時(shí)存儲數(shù)據(jù),并沒有實(shí)質(zhì)性的寫入,不涉及對物理單元結(jié)構(gòu)、屬性的改變,所
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  固態(tài)硬盤  

        國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價(jià)小幅上漲

        • 集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報(bào)告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價(jià)已經(jīng)談完了,預(yù)計(jì)會(huì)小幅上漲。國內(nèi)的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠(yuǎn)離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存,閃存  

        7nm銳龍線程撕裂者很好很強(qiáng)大,帶火單條32GB內(nèi)存

        • 今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格開始被熱炒,已經(jīng)有漲價(jià)的苗頭了,不過總體來看目前的內(nèi)存價(jià)位還是不錯(cuò)的,8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個(gè)趨勢值得注意,那就是大容量單條越來越多,32GB單條就很受高玩歡迎,因?yàn)锳MD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內(nèi)存平臺的首選。
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DDR4  

        內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%

        • 以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆粒現(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  DDR4  

        內(nèi)存和存儲的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案

        •   Raj Talluri? (美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理)  1 內(nèi)存和存儲領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn)  數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲的需求,而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲的最大需求來源。  在移動(dòng)領(lǐng)域,基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長,智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM , 以 支持計(jì)算攝影、面部識別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷,美光認(rèn)為2020年,智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND。  與此同時(shí),5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和N
        • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  AI  

        2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

        •   張明花(集邦咨詢顧問(深圳)有限公司 編輯,深圳 518000)  摘? 要:預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%,這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo),資本支出也會(huì)減少。  關(guān)鍵詞:內(nèi)存;DRAM;三星;SK海力士;美光  觀察全球內(nèi)存(DRAM)市場供需格局以及價(jià)格走勢,在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后,2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài),即便2020年 第1季度DRAM的
        • 關(guān)鍵字: 202002  內(nèi)存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

        南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

        • 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他們的份額高達(dá)95%以上,關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻,其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán),今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存,未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后,南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠,不過份額只有2%左右,而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán),而且技術(shù)落后較多,在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后,南亞的主力還是30nm等,來自美光
        • 關(guān)鍵字: 三星  美光  內(nèi)存  

        美光出樣DDR5內(nèi)存:1Znm工藝、性能提升85%

        • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
        • 關(guān)鍵字: 美光  內(nèi)存  DDR5  

        三星工廠發(fā)生意外斷電:損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

        • 本周三,三星電子對外確認(rèn),部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車,原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園,波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉,此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成,預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右,算不上重大。有分析人士認(rèn)為,此次停車將減少三星的芯片庫存,作為最大的存儲芯片制造上,會(huì)否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判,明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

        三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師:對清庫存是重大利好

        • 在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段,三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事,大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故,不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃,這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重,對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示,他們正全面檢查產(chǎn)線,全面評估受損程度。匿名消息人士透露,此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看,三星認(rèn)為事件影響不大,數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響,
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

        三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大?

        • 北京時(shí)間2020年1月1日消息,三星電子公司今天表示,在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后,其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示,正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng),并正在評估造成的損失。需要指出的,這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故,雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí),但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%,預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后,根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  

        1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

        • 今年3月份,三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,內(nèi)存容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,當(dāng)同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲,擴(kuò)展性非常好,在非易失性、
        • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  閃存  
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        內(nèi)存介紹

        【內(nèi)存簡介】   在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中,有一個(gè)很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計(jì)算機(jī)來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內(nèi)存儲器(簡稱內(nèi)存,港臺稱之為記憶體)。   內(nèi)存是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序,如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等, [ 查看詳細(xì) ]
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