三星(samsung) 文章 最新資訊
傳輸速度高達2400Mtps，三星量產第八代V-NAND閃存
- 據(jù)業(yè)內消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
- 關鍵字： 三星 閃存
三星4nm芯片仍未達標？Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2
- 據(jù)外媒報道，三星Galaxy S23系列手機將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機。但在今年推出Galaxy S22系列手機時，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財務官的一份文件中，相關人士表示Galaxy S
- 關鍵字： 三星 4nm 芯片 Galaxy S23 驍龍
三星宣布量產第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
- 關鍵字： V-NAND 閃存 三星
臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
- 關鍵字： 臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
三星公布發(fā)展規(guī)劃；ASML繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機
- 三星公布五年發(fā)展規(guī)劃10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產2nm先進制程工藝技術，到2027年量產1.4nm制程工藝技術。另一大晶圓代工巨頭臺積電也于近期表示，2nm方面，目前進展一切順利，將仍按照進度量產，并將在2nm節(jié)點引入GAA架構，預計2024年下半年進入風險性
- 關鍵字： 三星 ASML EUV光刻機
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