- 在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
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閃存 MRAM FPGA 萊迪思
- 不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。
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MRAM
- 大阪大學的研究人員介紹了一項創新技術，可以降低現代存儲設備的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自鎧俠官網獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創新以滿足未來計算和存儲系統的需求。此次發布包括以下三大創新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯合南亞科技共同開發，通過改進制造工藝，開發出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產品。Everspin旗下PERSYST產品線中的一款256Kb串行MRAM產品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
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Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車型
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數據，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內存技術逐漸發展。動態隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統在運行過程中對數據的快速存取需求。固態硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優點，逐漸取代傳統磁盤成為主流存儲設備之一。存儲技術仍舊在持續發展，近年來新型存儲技術如雨后春筍般涌現，諸如相
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磁變存儲器 MRAM
- 臺積電利用其自身先進的制程優勢，正在積極推動新型存儲產業的發展。
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MRAM
- M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現數據的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專利第一，2002 年三星宣布研發 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發逐漸走向低調。20
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MRAM
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰越來越大、需要的成本越來越高、實現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發展，不斷更新換代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經開始出現無法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
- 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
- 近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
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工業儲存 MRAM
- 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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存儲技術 MRAM RRAM PCRAM
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開。 其
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MRAM DRAM
- 據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。 三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發貨。 這種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
- 在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術，從 1990
年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于
DRAM，而且基本上可以無限次地重復寫入。 英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實
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英特爾 MRAM
mram介紹
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
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