據業內消息，近期三星電子宣布已經開始大規模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數據并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星 閃存
據外媒報道，三星Galaxy S23系列手機將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機。但在今年推出Galaxy S22系列手機時，卻提前了幾周發布。因此S23系列或許也會跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標配驍龍8 Gen 2據消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財務官的一份文件中，相關人士表示Galaxy S
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三星 4nm 芯片 Galaxy S23 驍龍
IT之家 11 月 7 日消息，據 BusinessKorea，隨著全球對電動汽車用高性能半導體的需求的迅速增加，三星電子和 SK 海力士已逐漸將目光投向了汽車半導體領域。IT之家了解到，這兩家公司雖然在世界存儲器半導體市場上占據了第一和第二的位置，但在汽車半導體市場上并沒有太大的影響力。Strategy Analytics 數據顯示，以 2019 年的銷售額為標準，韓國在全球汽車半導體市場的占有率僅為 2.3%。在油車領域，車用半導體價格普遍較低，因此收益性較低，而且油車更換周期也普遍更長，可
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汽車電子 三星 海力士
IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱"三星"）已經通過新思科技數字和定制設計工具和流程實現了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環繞柵極（GAA）技術被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應用中。此外，新思科技還獲得了三星的"最先進工藝"認證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現功
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俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導體原料氣體供應大國，其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產量，而俄羅斯惰性氣體供應量占全球供應總量的30%。隨著俄烏沖突爆發后，全球氖氣、氙氣等產量大減，全球芯片市場的供應短缺問題加劇。為降低對進口產品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產的氣體。據韓國經濟新聞報道，近日，三星表示，公司將與浦項鋼鐵（POSCO）一起推進半導體核心材料氙氣的本土生產，目前該材料全部依賴進口。目前，大多數韓國芯片制造商和微電子設備制造商依賴進口氣體，這些氣體是生產3D
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三星 SK海力士 大半導體原材料
據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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臺積電10月27日宣布，成立開放創新平臺（OIP）3D
Fabric聯盟以推動3D半導體發展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創意電子、IBIDEN、西門子、Silicon
Creations、矽品精密工業、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據悉，3DFabric聯盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術，使得他們能夠與臺積電同步開發及優化解決方案，也
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臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
據韓媒《BusinessKorea》報道，三星于近日宣布，公司已經成功運行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星稱，與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月，三星推出了其首個HBM-PIM，這是業界第一個高帶寬存儲器（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。HBM
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三星 人工智能 存儲器
10 月 25 日消息，據國外媒體報道，為克服存儲芯片市場不景氣對半導體業務部門的影響，三星電子將目標投向了汽車半導體領域。而韓國媒體在最新的報道中表示，部分分析師預計將目標投向了汽車半導體的三星電子，可能在歐洲建設汽車芯片工廠，歐洲有多家全球性的汽車制造大廠。外媒在報道中提到，在近期有客戶和合作伙伴參加的技術論壇上，三星電子已透露他們將加強汽車半導體業務。隨著電動汽車的發展和汽車智能化程度的提高，對半導體部件的需求也在提升，汽車半導體市場的規模也在不斷擴大。已有研究機構在報告中表示，全球汽車半導體市場的
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三星 汽車電子
長達逾兩年的疫情紅利于2022年初起明顯消退，加上全球通膨壓力加劇導致消費性電子需求大幅衰退，終端庫存急速飆升，電子供應鏈陷入砍單、延遲拉貨、殺價與取消長約混亂局勢，連鎖效應于2022年中向上沖破半導體晶圓代工、封測與IC設計防線。
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晶圓 代工 產能 三星
三星公布五年發展規劃10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術成果，以及未來五年晶圓代工事業發展規劃。按照規劃，三星將于2025年量產2nm先進制程工藝技術，到2027年量產1.4nm制程工藝技術。另一大晶圓代工巨頭臺積電也于近期表示，2nm方面，目前進展一切順利，將仍按照進度量產，并將在2nm節點引入GAA架構，預計2024年下半年進入風險性
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三星 ASML EUV光刻機
IT之家 10 月 21 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業務部技術開發部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產了基于 GAA 技術的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產能力，其目標是到 2027 年將其生產能力提高三倍以上。為此，這家芯片
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三星 GAA 技術
IT之家 10 月 21 日消息，三星顯示（Samsung Display）公司預計明年將加大量子點（QD）-有機發光二極管（OLED）顯示器的生產力度。三星顯示預計將提高其 QD-OLED 顯示面板的產量，從現在的每月 3 萬張提高到明年的 4 萬張。“該公司今年上半年 QD-OLED 顯示面板的生產良率提高到 85%，顯示了其強大的技術能力，”Omdia 公司總經理 Jung Yun-Seong 在研究公司會議上說。Jung 分析說，由于產量的增加，三星顯示將能夠在其產品組合中增加 49 英
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三星 OLED
10月21日消息，三星顯示（SamsungDisplay）公司預計明年將加大量子點（QD）-有機發光二極管（OLED）顯示器的生產力度。 三星顯示預計將提高其QD-OLED顯示面板的產量，從現在的每月3萬張提高到明年的4萬張。 “該公司今年上半年QD-OLED顯示面板的生產良率提高到85%，顯示了其強大的技術能力，”Omdia公司總經理Junun-Seong在研究公司會議上說。 Jung分析說，由于產量的增加，三星顯示將能夠在其產品組合中增加49英寸和77英寸QD-OLED顯示器。他估計2023
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