臺積電三星 明年強攻3D IC封裝

　　資策會MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及臺積電等半導體大廠，持續精進推出3D IC封裝技術。

　　資策會產業情報研究所(MIC)指出，全球首顆3D IC異質整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube)，將在明年正式量產，由記憶體大廠美光(Micron)和三星(Samsung)為首的混合記憶體立方聯盟(HMCC)推出。

　　資策會MIC表示，混合記憶體立方HMC，以3D IC技術堆疊多層動態隨機存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片，屬于異質整合晶片。

　　另一方面，資策會MIC指出，記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(HighBandwidth Memory)，以3D IC技術堆疊四層DRAM，屬于同質整合晶片。

　　臺積電明年在3D IC領域，也可望明顯進展。資策會MIC表示，臺積電明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封裝技術，成本將低于目前2.5D IC層級的CoWoS技術。

　　MIC指出，臺積電InFO封裝技術，可因應物聯網及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢。