中美貿易戰，利好國內半導體？

　　3.2.國產替代暫無解領域：以存儲芯片為例

　　在半導體的其他諸多領域，大陸自給率還較低，如存儲(主流存儲DRAM和NAND Flash大陸自給率目前約為0%)、半導體設備領域(2016年自給率為11.5%)和部分半導體材料領域(尖端光刻膠領域自給率為0%)等。一旦自給率過低，且國外供貨商過于集中就容易造成中國相應下游廠商被扼住脖子，致使政府的反制措施受到多重因素限制。下面就以國產化率極低的存儲器為例進行說明。

　　作為DRAM第三、NAND Flash第四大巨頭的美光對中國市場的依賴度越來越高。2009年中國大陸超過美國，成為美光第一大營收來源地區，此后大陸占比持續增長，2017年中國大陸營收達104億美元，增速高達96%，占美光總營收比重突破50%。

　　眾所周知，目前全球兩大主流存儲器DRAM和NAND Flash已經形成壟斷格局。2017年三星，SK海力士和美光三家共計占DRAM市場95%，而NAND Flash市場更是只由三星、東芝、西數、美光、SK海力士和英特爾6家瓜分。

　　當前存儲器市場正值景氣周期。NOR Flash和DRAM在傳統和新興應用拉動下需求持續高漲，而供給短期內難放開;2018年NAND Flash供需在3D-NAND Flash良率提升的帶動下雖然即將趨于平衡，但3月9日三星平澤NAND工廠的停電事故則可能推遲這一供需平衡時刻的到來。

　　目前對美商的存儲器產品征稅有較多限制。在大陸存儲還沒有實質性的產能放出的情況下，兩大存儲器預計將維持供給緊缺狀態。以DRAM為例，假如對美光的DRAM產品征稅，則一方面可能加劇大陸存儲供給緊缺狀況，損害中國下游終端應用廠商利益;另一方面則可能加劇三星和SK海力士在中國DRAM市場上的壟斷態勢，從長遠看更不利于中國半導體產業的良性發展。

　　反過來看正是因為大陸存儲未能實現自給才造成中國進行對外貿易戰時掣肘較多。大陸存儲起步較晚，技術上落后較多，盡管目前在國家和資本的大力支持下盡力追趕，并且我們也看到了大陸存儲器三大基地的建立，但真正要實現存儲國產替代還需要更多時間和更大精力。

　　同時這也是以半導體為代表的中國高科技產業的現狀，在諸多領域中(如存儲器、半導體設備等)大陸還是距離真正實現國產替代有一定的距離，因此在與高科技產業發展更為完善的美國進行貿易戰時，中國很難通過稅率政策進行反擊。同時這也促使著政府必須大力發展這些產業，從政策和資本上持續投入，由內而外進行反擊。(半導體行業觀察)